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1. WO2019112042 - DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SUPPORT DE STOCKAGE AYANT UN PROGRAMME POUR EFFECTUER UN PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ENREGISTRÉ DANS CELUI-CI

Numéro de publication WO/2019/112042
Date de publication 13.06.2019
N° de la demande internationale PCT/JP2018/045099
Date du dépôt international 07.12.2018
CIB
H01L 21/304 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
H01L 21/306 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
CPC
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
H01L 21/306
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Déposants
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 香川 興司 KAGAWA Koji
  • 戸島 孝之 TOSHIMA Takayuki
Mandataires
  • 永井 浩之 NAGAI Hiroshi
  • 中村 行孝 NAKAMURA Yukitaka
  • 佐藤 泰和 SATO Yasukazu
  • 朝倉 悟 ASAKURA Satoru
  • 森 秀行 MORI Hideyuki
Données relatives à la priorité
2017-23521207.12.2017JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND STORAGE MEDIUM HAVING PROGRAM FOR PERFORMING SUBSTRATE PROCESSING METHOD RECORDED THEREIN
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SUPPORT DE STOCKAGE AYANT UN PROGRAMME POUR EFFECTUER UN PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ENREGISTRÉ DANS CELUI-CI
(JA) 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体
Abrégé
(EN)
[Problem] To remove an attached material (such as a hard mask) on a substrate from the substrate effectively. [Solution] This substrate processing method comprises: (A) a step of supplying a substrate with a first processing solution containing an attached material removing agent, a solvent having a boiling point lower than a boiling point of the removing agent, and a thickening agent; (B) a step, after step (A), of supplying the substrate with a second processing solution containing an organic polymer for forming a gas diffusion prevention film; (C) a step, after step (B), of heating the substrate at a predetermined temperature not lower than the boiling point of the solvent and lower than the boiling point of the removing agent, to promote evaporation of the solvent and a reaction between the attached material and the removing agent; and (D) a step, after step (C), of supplying the substrate with a rinsing solution to remove the attached material from the substrate. The gas diffusion prevention film prevents a gaseous reactive product, produced by the reaction of the attached material and the removing agent in step (C), from passing through the gas diffusion prevention film and diffusing around the substrate.
(FR)
Le problème décrit par la présente invention est de retirer efficacement un matériau fixé (tel qu'un masque dur) sur un substrat à partir du substrat. La solution selon l'invention porte sur un procédé de traitement de substrat qui comprend : (A) une étape d'alimentation d'un substrat en une première solution de traitement contenant un agent de retrait de matériau fixé, un solvant ayant un point d'ébullition inférieur à un point d'ébullition de l'agent de retrait, et un agent épaississant ; (B) une étape, après l'étape (A), consistant à alimenter le substrat en une seconde solution de traitement contenant un polymère organique pour former un film de prévention de diffusion de gaz ; (C) une étape, après l'étape (B), de chauffage du substrat à une température prédéterminée non inférieure au point d'ébullition du solvant et inférieure au point d'ébullition de l'agent de retrait, pour favoriser l'évaporation du solvant et une réaction entre le matériau fixé et l'agent de retrait ; et (D) une étape, après l'étape (C), d'alimentation du substrat en une solution de rinçage pour retirer le matériau fixé du substrat. Le film de prévention de diffusion de gaz empêche un produit réactif gazeux, produit par la réaction du matériau fixé et de l'agent de retrait dans l'étape (C), de passer à travers le film de prévention de diffusion de gaz et de diffuser autour du substrat.
(JA)
[課題]基板から、該基板上の付着物(例えばハードマスク)を効果的に除去する。 [解決手段]基板処理方法は、(A)基板に、付着物の除去剤と、除去剤の沸点よりも低い沸点を有する溶媒と、増粘剤とを含有する第1処理液を供給する工程と、(B)工程(A)の後、基板に、ガス拡散防止膜となる有機ポリマーを含有する第2処理液を供給する工程と、(C)工程(B)の後、基板を、溶媒の沸点以上かつ除去剤の沸点未満の所定温度で加熱し、溶媒の蒸発及び付着物と除去剤との反応を促進させる工程と、(D)工程(C)の後、基板にリンス液を供給して、基板から付着物を除去する工程とを含む。ガス拡散防止膜が、工程(C)において付着物及び除去剤の反応により生じるガス状の反応性生成物が当該ガス拡散防止膜を通過して基板の周囲に拡散することを防止する。
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