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1. WO2019111295 - MODULATEUR D’ÉLECTROABSORPTION, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE, ET MODULE OPTIQUE

Numéro de publication WO/2019/111295
Date de publication 13.06.2019
N° de la demande internationale PCT/JP2017/043469
Date du dépôt international 04.12.2017
CIB
H01S 5/026 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
026Composants intégrés monolithiques, p.ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
G02F 1/015 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
FDISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
015basés sur des éléments à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel, p.ex. jonction PN, PIN
CPC
G02F 1/015
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
015based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction
H01S 5/026
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
Déposants
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 奥田 真也 OKUDA Shinya
  • 柳楽 崇 NAGIRA Takashi
Mandataires
  • 大岩 増雄 OIWA Masuo
  • 村上 啓吾 MURAKAMI Keigo
  • 竹中 岑生 TAKENAKA Mineo
  • 吉澤 憲治 YOSHIZAWA Kenji
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ELECTROABSORPTION MODULATOR, OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE, AND OPTICAL MODULE
(FR) MODULATEUR D’ÉLECTROABSORPTION, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE, ET MODULE OPTIQUE
(JA) 電界吸収型変調器、光半導体装置及び光モジュール
Abrégé
(EN)
The objective of the invention is to obtain an electroabsorption modulator having excellent reliability and little temperature dependency. The present invention provides an electroabsorption modulator (16) which is formed on an InP substrate (1) and modulates an incoming beam (33) by means of an applied voltage, the electroabsorption modulator being characterized in that the modulator is provided with a photo-absorption layer (5) which absorbs a portion of the incoming beam (33) via an electric field generated by the applied voltage, and the photo-absorption layer (5) is constituted by a ternary or higher group III-V semiconductor mixed crystal which contains Bi and contains no Al.
(FR)
L’objectif de l’invention est d’obtenir un modulateur d’électroabsorption ayant une excellente fiabilité et une faible dépendance à la température. La présente invention concerne un modulateur d’électroabsorption (16) qui est formé sur un substrat d’InP (1) et qui module un faisceau entrant (33) au moyen d’une tension appliquée, le modulateur d’électroabsorption étant caractérisé en ce que le modulateur comporte une couche de photo-absorption (5) qui absorbe une partie du faisceau entrant (33) par le biais d’un champ électrique généré par la tension appliquée, et en ce que la couche de photo-absorption (5) est constituée par un cristal mélangé semi-conducteur des groupes III-V ternaire ou supérieur qui contient du Bi et ne contient pas d’Al.
(JA)
温度依存性が小さく、信頼性に優れた電界吸収型変調器を得ることを目的とする。 本発明の電界吸収型変調器(16)は、InP基板(1)に形成され、印加される電圧により入射光(33)を変調する電界吸収型変調器であって、印加される電圧により発生する電界により入射光(33)の一部を吸収する光吸収層(5)を備え、光吸収層(5)は、Alを含有せず、Biを含有する3元以上のIII-V族半導体混晶により構成されることを特徴とする。
Également publié en tant que
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