Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2019105630 - STRUCTURE DE RÉSONATEUR À BOSSE

Numéro de publication WO/2019/105630
Date de publication 06.06.2019
N° de la demande internationale PCT/EP2018/076101
Date du dépôt international 26.09.2018
CIB
H01P 5/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
PGUIDES D'ONDES; RÉSONATEURS, LIGNES OU AUTRES DISPOSITIFS DU TYPE GUIDE D'ONDES
5Dispositifs de couplage du type guide d'ondes
02à coefficient de couplage invariable
H01P 7/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
PGUIDES D'ONDES; RÉSONATEURS, LIGNES OU AUTRES DISPOSITIFS DU TYPE GUIDE D'ONDES
7Résonateurs du type guide d'ondes
08Résonateurs triplaque
H01P 1/203 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
PGUIDES D'ONDES; RÉSONATEURS, LIGNES OU AUTRES DISPOSITIFS DU TYPE GUIDE D'ONDES
1Dispositifs auxiliaires
20Sélecteurs de fréquence, p.ex. filtres
201Filtres à ondes électromagnétiques transversales
203Filtres triplaque
H01L 27/18 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
18comprenant des composants présentant un effet de supraconductivité
G06N 99/00 2019.01
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
NSYSTÈMES DE CALCULATEURS BASÉS SUR DES MODÈLES DE CALCUL SPÉCIFIQUES
99Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
G06N 10/00
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
NCOMPUTER SYSTEMS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
10Quantum computers, i.e. computer systems based on quantum-mechanical phenomena
H01L 2224/13101
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
13of an individual bump connector
13001Core members of the bump connector
13099Material
131with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
13101the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
H01L 2224/73207
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
732Location after the connecting process
73201on the same surface
73207Bump and wire connectors
H01L 23/481
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; ; Selection of materials therefor
481Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
H01L 23/5223
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
5222Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
5223Capacitor integral with wiring layers
Déposants
  • INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US]/[US]
  • IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB]/[GB] (MG)
Inventeurs
  • SOLGUN, Firat
  • ROSENBLATT, Sami
  • BRINK, Markus
  • GAMBETTA, Jay
  • CORCOLES-GONZALEZ, Antonio
Mandataires
  • GASCOYNE, Belinda
Données relatives à la priorité
15/827,72930.11.2017US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) BUMPED RESONATOR STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE RÉSONATEUR À BOSSE
Abrégé
(EN)
A resonator structure that can be utilized with superconducting qubit circuits. An inductive element is on a first surface. A capacitive element is on the first surface and a second surface. An interconnect structure is between the first surface and the second surface.
(FR)
L'invention concerne une structure de résonateur qui peut être utilisée avec des circuits à bits quantiques supraconducteurs. Un élément inductif se trouve sur une première surface. Un élément capacitif se trouve sur la première surface et une seconde surface. Une structure d'interconnexion est située entre la première surface et la seconde surface.
Également publié en tant que
JP2020528407
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international