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1. (WO2019068094) MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE ET TECHNIQUES DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/068094 N° de la demande internationale : PCT/US2018/053780
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 01.10.2018
CIB :
H01L 45/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
CROSSBAR, INC. [US/US]; 3200 Patrick Henry Drive, Suite 110 Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
JO, Sung-Hyun; US
NARAYANAN, Sundar; US
GU, Zhen; US
Mandataire :
CHO, Steve Y.; US
Données relatives à la priorité :
62/566,15429.09.2017US
Titre (EN) RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND FABRICATION TECHNIQUES
(FR) MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE ET TECHNIQUES DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) A self-aligned memory device includes a conductive bottom plug disposed within an insulating layer and having a coplanar top surface, a self-aligned planar bottom electrode disposed upon the coplanar top surface and having a thickness within a range of 50 Angstroms to 200 Angstroms, a planar switching material layer disposed upon the self-aligned planar bottom electrode, a planar active metal material layer disposed upon the planar switching material layer and a planar top electrode disposed above the planar active metal material layer, wherein the self-aligned planar bottom electrode, the planar switching material layer, the planar active metal material layer, and the planar top electrode form a pillar-like structure above the insulating layer.
(FR) L'invention concerne un dispositif de mémoire auto-aligné comprenant une fiche inférieure conductrice, disposée à l'intérieur d'une couche isolante et ayant une surface supérieure coplanaire, une électrode inférieure plane auto-alignée, disposée sur la surface supérieure coplanaire et ayant une épaisseur dans une plage de 50 angströms à 200 angströms, une couche plane de matériau de commutation, disposée sur l'électrode inférieure plane auto-alignée, une couche plane de matériau métallique actif, disposée sur la couche plane de matériau de commutation et une électrode supérieure plane, disposée au-dessus de la couche plane de matériau métallique actif, l'électrode inférieure plane auto-alignée, la couche plane de matériau de commutation, la couche plane de matériau métallique actif et l'électrode supérieure plane formant une structure de type pilier au-dessus de la couche isolante.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)