Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019067900) DOUBLES PÉROVSKITES D'HALOGÉNURES À BASE DE TITANE (IV) À BANDES INTERDITES RÉGLABLES DE 1,0 À 1,8 EV POUR APPLICATIONS PHOTOVOLTAÏQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/067900 N° de la demande internationale : PCT/US2018/053426
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.09.2018
CIB :
H01L 31/0264 (2006.01) ,C01D 17/00 (2006.01) ,C01G 23/02 (2006.01) ,H01G 9/20 (2006.01) ,H01L 31/04 (2014.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0256
caractérisés par les matériaux
0264
Matériaux inorganiques
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
D
COMPOSÉS DES MÉTAUX ALCALINS, c. à d. DU LITHIUM, DU SODIUM, DU POTASSIUM, DU RUBIDIUM, DU CÉSIUM OU DU FRANCIUM
17
Composés du rubidium, du césium ou du francium
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
G
COMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
23
Composés du titane
02
Halogénures de titane
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
9
Condensateurs électrolytiques, redresseurs électrolytiques, détecteurs électrolytiques, dispositifs de commutation électrolytiques, dispositifs électrolytiques photosensibles ou sensibles à la température; Procédés pour leur fabrication
20
Dispositifs photosensibles
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
Déposants :
BROWN UNIVERSITY [US/US]; 47 George Street P.O. Box 1949 Providence, Rhode Island 02912, US
THE BOARD OF REGENTS OF THE UNIVERSITY OF NEBRASKA [US/US]; 3835 Holdrege Street Lincoln, Nebraska 68583, US
Inventeurs :
PADTURE, Nitin P.; US
CHEN, Min; US
ZHOU, Yuanyuan; US
CHENG ZENG, Xiao; US
JU, Ming-gang; US
Mandataire :
IWANICKI, John P.; US
Données relatives à la priorité :
62/564,59628.09.2017US
Titre (EN) TITANIUM (IV)-BASED HALIDE DOUBLE-PEROVSKITES WITH TUNABLE 1.0 TO 1.8 EV BANDGAPS FOR PHOTOVOLTAIC APPLICATIONS
(FR) DOUBLES PÉROVSKITES D'HALOGÉNURES À BASE DE TITANE (IV) À BANDES INTERDITES RÉGLABLES DE 1,0 À 1,8 EV POUR APPLICATIONS PHOTOVOLTAÏQUES
Abrégé :
(EN) Disclosed is a family of all-inorganic Ti (IV)-based perovskite materials that can be used in photovoltaic applications. These materials exhibit a double-perovskite crystal structure with a general chemical formula of A2TiX6 (A is K, Rb, Cs and In; X = Cl, Br and I). Specific representative family-members have the formula Cs2TiIxBr6-x (x = 0, 2, 4 and 6). The bandgap of Cs2TiIxBr6-x (0?x?6) can be tuned continuously from 1.02 eV to 1.78 eV. The family members Cs2TiBr6 and Cs2TiI2Br4 exhibit direct bandgaps of 1.78 and 1.38 eV, which are useful for single-junction PSCs and tandem PSCs. The useful thermal/environmental stability of the Ti (IV)-based perovskite materials has been confirmed. Ti-based perovskite solar cells are described herein. The resulting perovskite solar cells show a stable PCE of 2.36 % with a VOC of 0.97 V.
(FR) L'invention concerne une famille de matériaux pérovskites à base de Ti (IV) entièrement inorganiques, qui peuvent être utilisés dans des applications photovoltaïques. Ces matériaux présentent une structure cristalline double pérovskite ayant une formule chimique générale A2TiX6 (A est K, Rb, Cs et In ; X = Cl, Br et I). Des membres représentatifs spécifiques de la famille ont la formule Cs2TiIxBr6-x (x = 0, 2, 4 et 6). La bande interdite de Cs2TiIxBr6-x (0? x? 6) peut être réglée de façon continue de 1,02 eV à 1,78 eV. Les membres Cs2TiBr6 et Cs2TiI2Br4 de la famille présentent des bandes interdites directes de 1,78 et 1,38 eV, qui sont utiles pour des cellules solaires polymères (PSC) à jonction unique et des PSC tandem. La stabilité thermique/environnementale utile des matériaux pérovskites à base de Ti (IV) a été confirmée. L'invention concerne également des cellules solaires à pérovskites à base de Ti. Les cellules solaires à pérovskites obtenues présentent un rendement de conversion en puissance (PCE) stable de 2,36 % avec une tension en circuit ouvert (VOC) de 0,97 V.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)