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1. (WO2019067748) MICROÉLECTRODE IMPLANTABLE TOUT DIAMANT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/067748 N° de la demande internationale : PCT/US2018/053168
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 27.09.2018
CIB :
C30B 29/02 (2006.01) ,H01L 21/763 (2006.01) ,H01L 29/04 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02
Eléments
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76
Réalisation de régions isolantes entre les composants
763
Régions polycristallines semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
04
caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique ou à orientation particulière des plans cristallins
Déposants :
BOARD OF TRUSTEES OF MICHIGAN STATE UNIVERSITY [US/US]; 450 Administration Building East Lansing, Michigan 48824-1046, US
FRAUNHOFER USA [US/US]; 1449 Engineering Research Ct. East Lansing, Michigan 48824, US
Inventeurs :
LI, Wen; US
GUO, Yue; US
SCHUELKE, Thomas; US
BECKER, Michael; US
RECHENBERG, Robert; US
RUSINEK, Cory; US
Mandataire :
KOTSIS, Damian H.; US
AMBROSE, John; US
AQUINO, Damian; US
BENSON, Tyson B.; US
BERBERICH, Jeanette M.; US
BRENNAN, Michael P.; US
BRITT, Nancy K.; US
BROCK, Christopher M.; US
CASTELLANO, John A., III; US
CAUBLE, Christopher M.; US
CHANG, Alex C.; US
CHAPP, Jeffrey J.; US
CHO, David J.; US
CUTLER, Matthew L.; US
DALEY, Donald J.; US
DEAVER, Darin W.; US
DELASSUS, Gregory S.; US
DOERR, Michael P.; US
DOWDY, Stephanie L.; US
DRYSDALE, Nicholas S.; US
ELCHUK, Mark D.; US
ERJAVAC, Stanley M.; US
FALCOFF, Monte L.; US
FITZPATRICK, John; US
FORBIS, Glenn E.; US
FOSS, Stephen J.; US
FRANKLIN, Clarence C.; US
FRENTRUP, Mark A.; US
FULLER, Roland, III; US
FUSSNER, Anthony G.; US
GAMBLE, Michael D.; US
HEIST, Jason A.; US
HILTON, Michael E.; US
HOYT, Blair M.; US
KELLER, Paul A.; US
KESKAR, Hemant; US
KIM, Paul M.; US
KIM, Sung Pil; US
KORAL, Elisabeth; US
KOZU, Kiyoshi; US
LAFATA, Joseph M.; US
LEE, Kisuk; US
LUCHSINGER, James B.; US
MACINTYRE, Timothy D.; US
MALINZAK, Michael; US
MARTIN, Timothy J.; US
MASSEY, Ryan W.; US
MEYER, Greg; US
MIERZWA, Kevin; US
MILLER, Christopher K.; US
MOUSTAKAS, George D.; US
NABI, Tarik M.; US
NYE, Michael; US
ODELL, Elizabeth D.; US
OLSON, Stephen T.; US
PANKA, Brian G.; US
RAKERS, Leanne; US
RICHMOND, Derek; US
ROBINSON, Douglas A.; US
SCHIANO, Thomas E.; US
SCHIVLEY, Gregory G.; US
SCHMIDT, Michael J.; US
SEITZ, Brent G.; US
SIMINSKI, Robert M.; US
SMITH, Corey E.; US
SMITH, Michael L.; US
SNYDER, Jeffrey L.; US
SUTER, David L.; US
TAYLOR, Michael L.; US
TAYLOR, W. R. Duke; US
TEICH, Michael L.; US
THOMAS, Michael J.; US
TUCKER, David J., Jr.; US
UTYKANSKI, David P.; US
VARCO, Michael A.; US
WADE, Bryant E.; US
WALKER, Donald G.; US
WALSH, JR., Joseph E.; US
WANGEROW, Steven; US
WARNER, Richard W.; US
WAXMAN, Andrew M.; US
WELCH, Gerald T.; US
WHEELOCK, Bryan K.; US
WIGGINS, Michael D.; US
WOODSIDE-WOJTALA, Jennifer; US
YACURA, Gary D.; US
ZALOBSKY, Michael D.; US
Données relatives à la priorité :
62/563,98027.09.2017US
Titre (EN) IMPLANTABLE ALL DIAMOND MICROELECTRODE AND FABRICATION METHOD
(FR) MICROÉLECTRODE IMPLANTABLE TOUT DIAMANT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) An electrode is provided. The electrode includes a contact pad composed of boron-doped polycrystalline diamond (BDD); a fiber core composed of BDD extending longitudinally from the contact pad from a first end that is in direct contact with the contact pad to an opposing second end; and a polycrystalline diamond (PCD) cladding that coats and hermetically seals the contact pad and the fiber core. A first portion of the contact pad and a second portion at or near the second end of the fiber core are not coated and hermetically sealed by the PCD cladding. A method of fabricating the electrode is also provided.
(FR) Cette invention concerne une électrode. L'électrode comprend une plage de contact composée de diamant polycristallin dopé au bore (BDD) ; un âme de fibre composée de diamant dopé au bore s'étendant longitudinalement à partir de la plage de contact à partir d'une première extrémité qui est en contact direct avec la plage de contact à une seconde extrémité opposée ; et un revêtement à base de diamant polycristallin (PCD) qui recouvre et scelle hermétiquement la plage de contact et l'âme de fibre. Une première partie de la plage de contact et une seconde partie sur ou à proximité de la seconde extrémité de l'âme de fibre ne sont pas revêtues et scellées hermétiquement par la gaine à base de diamant polycristallin. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication de l'électrode.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)