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1. (WO2019067455) ARCHITECTURES DE LASER UTILISANT DES TECHNIQUES DE MÉLANGE DE PUITS QUANTIQUE
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N° de publication : WO/2019/067455 N° de la demande internationale : PCT/US2018/052679
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 25.09.2018
CIB :
H01S 5/16 (2006.01) ,H01S 5/40 (2006.01) ,H01S 5/042 (2006.01) ,H01S 5/10 (2006.01) ,H01S 5/22 (2006.01) ,H01S 5/34 (2006.01) ,H01S 5/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
10
Structure ou forme du résonateur optique
16
Lasers du type à fenêtre, c.à d. avec une région en un matériau non absorbant entre la région active et la surface réfléchissante
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
40
Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes H01S5/02-H01S5/30130
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
04
Procédés ou appareils pour l'excitation, p.ex. pompage
042
Excitation électrique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
10
Structure ou forme du résonateur optique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
20
Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
22
ayant une structure à nervures ou à bandes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
30
Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
34
comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique (lasers SQW), lasers à plusieurs puits quantiques (lasers MQW), lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif (lasers GRINSCH)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
20
Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
Déposants :
MASSETA TECHNOLOGIES LLC [US/US]; Corporation Trust Center 1209 Orange Street Wilmington, Delaware 19801, US
Inventeurs :
Mandataire :
NGUYEN, Jean; US
Données relatives à la priorité :
62/564,41928.09.2017US
Titre (EN) LASER ARCHITECTURES USING QUANTUM WELL INTERMIXING TECHNIQUES
(FR) ARCHITECTURES DE LASER UTILISANT DES TECHNIQUES DE MÉLANGE DE PUITS QUANTIQUE
Abrégé :
(EN) A laser chip including a plurality of stripes is disclosed, where a laser stripe can be grown with an initial optical gain profile, and its optical gain profile can be shifted by using an intermixing process. In this manner, multiple laser stripes can be formed on the same laser chip from the same epitaxial wafer, where at least one laser stripe can have an optical gain profile shifted relative to another laser stripe. For example, each laser stripe can have a shifted optical gain profile relative to its neighboring laser stripe, thereby each laser stripe can emit light with a different range of wavelengths. The laser chip can emit light across a wide range of wavelengths. Examples of the disclosure further includes different regions of a given laser stripe having different intermixing amounts.
(FR) L'invention concerne une puce de laser comprenant une pluralité de bandes, une bande de laser pouvant être mise en croissance avec un profil de gain optique initial, et son profil de gain optique pouvant être décalé en utilisant un processus de mélange. De cette manière, de multiples bandes de laser peuvent être formées sur la même puce de laser à partir de la même galette épitaxiale, au moins une bande de laser pouvant présenter un profil de gain optique décalé par rapport à une autre bande de laser. Chaque bande de laser peut, par exemple, présenter un profil de gain optique décalé par rapport à sa bande de laser voisine, de sorte que chaque bande de laser peut émettre de la lumière avec une plage de longueurs d'onde différente. La puce de laser peut émettre de la lumière sur une large plage de longueurs d'onde. Des exemples de l'invention comprennent en outre différentes régions d'une bande de laser donnée ayant des quantités de mélange différentes.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)