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1. (WO2019067251) SCHÉMA D'OCTET DE DÉFAILLANCE DE VÉRIFICATION (CFBYTE)
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N° de publication : WO/2019/067251 N° de la demande internationale : PCT/US2018/051353
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 17.09.2018
CIB :
G11C 16/34 (2006.01) ,G11C 16/26 (2006.01) ,G11C 16/04 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
34
Détermination de l'état de programmation, p.ex. de la tension de seuil, de la surprogrammation ou de la sousprogrammation, de la rétention
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
26
Circuits de détection ou de lecture; Circuits de sortie de données
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
04
utilisant des transistors à seuil variable, p.ex. FAMOS
Déposants :
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 So. Federal Way Boise, ID 83716-9632, US
Inventeurs :
MADRASWALA, Aliasgar, S.; US
GAEWSKY, Kristopher, H.; US
PRABHU, Naveen, Vittal; US
SULE, Purval, S.; US
BEMALKHEDKAR, Trupti; US
TAILOR, Nehul, N.; US
NGO, Quan, H.; US
SRINIVASAN, Dheeraj; US
Mandataire :
PERDOK, Monique, M.; US
ARORA, Suneel; US
BEEKMAN, Marvin, L.; US
BLACK, David, W.; US
SCHEER, Bradley, W.; US
Données relatives à la priorité :
15/717,55427.09.2017US
Titre (EN) ONE CHECK FAIL BYTE (CFBYTE) SCHEME
(FR) SCHÉMA D'OCTET DE DÉFAILLANCE DE VÉRIFICATION (CFBYTE)
Abrégé :
(EN) Various embodiments can include apparatus and methods to perform a one check failure byte (CFBYTE) scheme in programming of a memory device. In programming memory cells in which each memory cell can store multiple bits, the multiple bits being a n-tuple of bits of a set of n-tuples of bits with each n-tuple of the set associated with a level of a set of levels of threshold voltages for the memory cells. Verification of a program algorithm can be structured based on a programming algorithm that proceeds in a progressive manner by placing a threshold voltage of one level/distribution at a time. The routine of this progression can be used to perform just one failure byte check for that specific target distribution only, thus eliminating the need to check failure byte for all subsequent target distribution during every stage of program algorithm. Additional apparatus, systems, and methods are disclosed.
(FR) Divers modes de réalisation peuvent comprendre un appareil et des procédés pour effectuer un schéma d'octet de défaillance de vérification (CFBYTE) dans la programmation d'un dispositif de mémoire. Dans des cellules de mémoire de programmation dans lesquelles chaque cellule de mémoire peut stocker de multiples bits, les multiples bits étant un n-uplet de bits d'un ensemble de n-uplets de bits avec chaque n-uplet de l'ensemble associé à un niveau d'un ensemble de niveaux de tensions de seuil pour les cellules de mémoire. La vérification d'un algorithme de programme peut être structurée sur la base d'un algorithme de programmation qui se déroule de manière progressive en plaçant une tension de seuil d'un niveau/distribution à la fois. La routine de cette progression peut être utilisée pour effectuer une seule vérification d'octet de défaillance pour cette distribution cible spécifique uniquement, éliminant ainsi le besoin de vérifier un octet de défaillance pour toutes les distributions cibles ultérieures pendant chaque étape d'algorithme de programme. La présente invention concerne en outre un appareil, des systèmes et des procédés supplémentaires.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)