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1. (WO2019067158) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE FLASH ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
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N° de publication : WO/2019/067158 N° de la demande internationale : PCT/US2018/048951
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 30.08.2018
CIB :
H01L 27/11521 (2017.01) ,H01L 27/11524 (2017.01) ,H01L 27/11568 (2017.01) ,H01L 27/1157 (2017.01)
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Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
LIU, Haitao; US
HUANG, Guangyu; US
PARAT, Krishna K.; US
KUNAL, Shrotri B.; US
JAYANTI, Srikant; SG
Mandataire :
OSBORNE, David W.; US
Données relatives à la priorité :
15/721,77130.09.2017US
Titre (EN) FLASH MEMORY DEVICES AND RELATED METHODS
(FR) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE FLASH ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé :
(EN) Flash memory technology is disclosed. In one example, a flash memory cell can include a charge storage structure, a control gate laterally separated from the charge storage structure, and at least four dielectric layers disposed between the control gate and the charge storage structure. Associated systems and methods are also disclosed.
(FR) L'invention concerne une technologie de mémoire flash. Selon un exemple, une cellule de mémoire flash peut comprendre une structure de stockage de charge, une grille de commande séparée latéralement de la structure de stockage de charge, et au moins quatre couches diélectriques disposées entre la grille de commande et la structure de stockage de charge. La présente invention concerne également des systèmes et des procédés associés.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)