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1. (WO2019067151) APPAREIL DE RÉFÉRENCE À BANDE INTERDITE À FAIBLE BRUIT
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N° de publication : WO/2019/067151 N° de la demande internationale : PCT/US2018/048635
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.08.2018
CIB :
G05F 1/46 (2006.01) ,G05F 3/26 (2006.01) ,G05F 3/24 (2006.01)
G PHYSIQUE
05
COMMANDE; RÉGULATION
F
SYSTÈMES DE RÉGULATION DES VARIABLES ÉLECTRIQUES OU MAGNÉTIQUES
1
Systèmes automatiques dans lesquels les écarts d'une grandeur électrique par rapport à une ou plusieurs valeurs prédéterminées sont détectés à la sortie et réintroduits dans un dispositif intérieur au système pour ramener la grandeur détectée à sa valeur ou à ses valeurs prédéterminées, c. à d. systèmes rétroactifs
10
Régulation de la tension ou de l'intensité
46
là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu
G PHYSIQUE
05
COMMANDE; RÉGULATION
F
SYSTÈMES DE RÉGULATION DES VARIABLES ÉLECTRIQUES OU MAGNÉTIQUES
3
Systèmes non rétroactifs pour la régulation des variables électriques par l'utilisation d'un élément non commandé, ou d'une combinaison d'éléments non commandés, un tel élément ou une telle combinaison étant propre à exercer par lui-même une régulation
02
Régulation de la tension ou du courant
08
là où la tension ou le courant sont continus
10
utilisant des dispositifs non commandés à caractéristiques non linéaires
16
consistant en des dispositifs à semi-conducteurs
20
en utilisant des combinaisons diode-transistor
26
Miroirs de courant
G PHYSIQUE
05
COMMANDE; RÉGULATION
F
SYSTÈMES DE RÉGULATION DES VARIABLES ÉLECTRIQUES OU MAGNÉTIQUES
3
Systèmes non rétroactifs pour la régulation des variables électriques par l'utilisation d'un élément non commandé, ou d'une combinaison d'éléments non commandés, un tel élément ou une telle combinaison étant propre à exercer par lui-même une régulation
02
Régulation de la tension ou du courant
08
là où la tension ou le courant sont continus
10
utilisant des dispositifs non commandés à caractéristiques non linéaires
16
consistant en des dispositifs à semi-conducteurs
20
en utilisant des combinaisons diode-transistor
24
dans lesquelles les transistors sont uniquement du type à effet de champ
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054, US
Inventeurs :
EBERLEIN, Matthias; DE
Mandataire :
MUGHAL, Usman A.; US
Données relatives à la priorité :
15/721,52129.09.2017US
Titre (EN) A LOW NOISE BANDGAP REFERENCE APPARATUS
(FR) APPAREIL DE RÉFÉRENCE À BANDE INTERDITE À FAIBLE BRUIT
Abrégé :
(EN) An apparatus comprising: a first supply node; a second supply node; a first transistor coupled to the first supply node, the first transistor is to provide a first current which is complementary to absolute temperature (CTAT); a second transistor coupled to the first supply node, the second transistor is to provide a second current which is proportional to absolute temperature (PTAT); a resistive device coupled in series at a node with the first and second transistors, and coupled to the second supply node, wherein the node is to sum the CTAT and the PTAT currents.
(FR) L'invention concerne un appareil comprenant : un premier nœud d'alimentation ; un second nœud d'alimentation ; un premier transistor couplé au premier nœud d'alimentation, le premier transistor étant destiné à fournir un premier courant qui est complémentaire à la température absolue (CTAT) ; un second transistor couplé au premier nœud d'alimentation, le second transistor étant destiné à fournir un second courant qui est proportionnel à la température absolue (PTAT) ; un dispositif résistif couplé en série au niveau d'un nœud avec le premier et le second transistor, et couplé au second nœud d'alimentation, le nœud étant destiné à additionner les courants CTAT et PTAT.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)