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1. (WO2019067137) COUCHE DE DIFFUSION D'ENCAPSULATION EN COUCHES MINCES PAR PECVD
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N° de publication : WO/2019/067137 N° de la demande internationale : PCT/US2018/048260
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.08.2018
CIB :
H01L 51/52 (2006.01) ,H01L 51/56 (2006.01) ,H01L 51/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50
spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
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Détails des dispositifs
H ÉLECTRICITÉ
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ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
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spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
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Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
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ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
WU, Wen-Hao; US
CHEN, Jrjyan Jerry; US
Mandataire :
PATTERSON, B. Todd; US
VERSTEEG, Steven H.; US
Données relatives à la priorité :
15/719,06728.09.2017US
Titre (EN) THIN FILM ENCAPSULATION SCATTERING LAYER BY PECVD
(FR) COUCHE DE DIFFUSION D'ENCAPSULATION EN COUCHES MINCES PAR PECVD
Abrégé :
(EN) Embodiments described herein generally related to a method for manufacturing an encapsulating structure for a display device, more particularly, for manufacturing a TFE structure including a light scattering layer. The TFE structure further includes one or more barrier layers. All layers of the TFE structure are formed in a PECVD apparatus. The light scattering layer is formed by a PECVD process, in which a silicon containing precursor and a nitrogen containing precursor are introduced into the PECVD apparatus. The flow rate of the silicon containing precursor is equal to or greater than the flow rate of the nitrogen containing precursor. The light scattering layer enhances light out-coupling from a light emitting device disposed under the TFE structure.
(FR) Selon divers modes de réalisation, la présente invention concerne de manière générale un procédé de fabrication d'une structure d'encapsulation pour un dispositif d'affichage, plus particulièrement, de fabrication d'une structure d'encapsulation en couches minces (TFE) comprenant une couche de diffusion de lumière. La structure TFE comprend en outre une ou plusieurs couches barrières. Toutes les couches de la structure TFE sont formées dans un appareil de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). La couche de diffusion de lumière est formée par un procédé PECVD dans lequel un précurseur contenant du silicium et un précurseur contenant de l'azote sont introduits dans l'appareil PECVD. Le débit du précurseur contenant du silicium est égal ou supérieur au débit du précurseur contenant de l'azote. La couche de diffusion de lumière améliore le couplage de sortie de lumière d'un dispositif électroluminescent disposé sous la structure TFE.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)