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1. (WO2019067129) TRAITEMENT DE TRANSFERT DE COUCHE MASSIVE AVEC SILICIURATION SUR LA FACE ARRIÈRE
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N° de publication : WO/2019/067129 N° de la demande internationale : PCT/US2018/048125
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 27.08.2018
CIB :
H01L 21/762 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76
Réalisation de régions isolantes entre les composants
762
Régions diélectriques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
Déposants :
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs :
GOKTEPELI, Sinan; US
IMTHURN, George Pete; US
FANELLI, Stephen Alan; US
Mandataire :
LENKIN, Alan M.; US
LUTZ, Joseph; US
PARTOW-NAVID, Puya; US
FASHU-KANU, Alvin V.; US
Données relatives à la priorité :
15/975,43409.05.2018US
62/565,49529.09.2017US
Titre (EN) BULK LAYER TRANSFER PROCESSING WITH BACKSIDE SILICIDATION
(FR) TRAITEMENT DE TRANSFERT DE COUCHE MASSIVE AVEC SILICIURATION SUR LA FACE ARRIÈRE
Abrégé :
(EN) A radio frequency integrated circuit (RFIC) includes a bulk semiconductor die. The RFIC also includes a first active/passive device on a first-side of the bulk semiconductor die, and a first deep trench isolation region extending from the first-side to a second-side opposite the first-side of the bulk semiconductor die. The RFIC also includes a contact layer on the second-side of the bulk semiconductor die. The RFIC further includes a second-side dielectric layer on the contact layer. The first deep trench isolation region may extend through the contact layer and into the second-side dielectric layer.
(FR) La présente invention concerne un circuit intégré radiofréquence (RFIC) qui comprend une puce semi-conductrice massive. Le RFIC comprend également un premier dispositif actif/passif sur un premier côté de la puce semi-conductrice massive, et une première région d'isolation de tranchée profonde s'étendant du premier côté à un second côté opposé au premier côté de la puce semi-conductrice massive. Le RFIC comprend également une couche de contact sur le second côté de la puce semi-conductrice massive. Le RFIC comprend en outre une couche diélectrique sur le second côté sur la couche de contact. La première région d'isolation de tranchée profonde peut s'étendre à travers la couche de contact et dans la couche diélectrique sur le second côté.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)