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1. (WO2019066996) SÉLECTEURS À TROIS BORNES POUR APPLICATIONS DE MÉMOIRE ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/066996 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054680
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 30.09.2017
CIB :
H01L 45/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054, US
Inventeurs :
PILLARISETTY, Ravi; US
SHARMA, Abhishek A.; US
LE, Van H.; US
KAVALIEROS, Jack T.; US
RACHMADY, Willy; US
Mandataire :
HOWARD, James M.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) THREE TERMINAL SELECTORS FOR MEMORY APPLICATIONS AND THEIR METHODS OF FABRICATION
(FR) SÉLECTEURS À TROIS BORNES POUR APPLICATIONS DE MÉMOIRE ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) A memory device includes a first electrode, a non-volatile memory element having a first terminal and a second terminal, where the first terminal is coupled to the first electrode. The memory device further includes a selector having a first terminal, a second terminal and a sidewall between the first and second terminals, where the second terminal of the selector is coupled to the first terminal of the non-volatile memory element. A second electrode is coupled to the second terminal of the selector and a third electrode laterally adjacent to the sidewall of the selector.
(FR) Un dispositif de mémoire comprend une première électrode, un élément de mémoire non volatile ayant une première borne et une seconde borne, la première borne étant couplée à la première électrode. Le dispositif de mémoire comprend en outre un sélecteur ayant une première borne, une seconde borne et une paroi latérale entre les première et seconde bornes, la seconde borne du sélecteur étant couplée à la première borne de l'élément de mémoire non volatile. Une deuxième électrode est couplée à la seconde borne du sélecteur et une troisième électrode latéralement adjacente à la paroi latérale du sélecteur.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)