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1. (WO2019066993) STRUCTURES D'ATTÉNUATION DE GAUCHISSEMENT CRÉÉES SUR UN SUBSTRAT À L'AIDE D'UNE FABRICATION ADDITIVE À HAUT RENDEMENT
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N° de publication : WO/2019/066993 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054677
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 30.09.2017
CIB :
H01L 23/367 (2006.01) ,H01L 23/04 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36
Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
367
Refroidissement facilité par la forme du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
02
Conteneurs; Scellements
04
caractérisés par la forme
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
Déposants :
EID, Feras [LB/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
EID, Feras; US
Mandataire :
ROJO, Estiven; US
BRASK, Justin K.; US
AUYEUNG, Al; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
BLANK, Eric S.; US
COFIELD, Michael A.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
PUGH, Joseph A.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
WANG, Yuke; US
YATES, Steven D.; US
SULLIVAN, Stephen G.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) WARPAGE MITIGATION STRUCTURES CREATED ON SUBSTRATE USING HIGH THROUGHPUT ADDITIVE MANUFACTURING
(FR) STRUCTURES D'ATTÉNUATION DE GAUCHISSEMENT CRÉÉES SUR UN SUBSTRAT À L'AIDE D'UNE FABRICATION ADDITIVE À HAUT RENDEMENT
Abrégé :
(EN) Device package and method of forming a device package are described. The device package has a substrate with dies disposed on the substrate. Each die has a bottom surface that is electrically coupled to the substrate and a top surface. The device package further includes a plurality of stiffeners disposed directly on the substrate. The stiffeners may be directly attached to a top surface of the substrate without an adhesive layer. The device package may include stiffeners with one or more different sizes and shapes, including at least one of a rectangular stiffener, a picture frame stiffener, a L-shaped stiffener, a H-shaped stiffener, and a round pillar stiffener. The device package may have the stiffeners disposed on the top surface of the substrate using a cold spray process. The device package may also include a mold layer formed around and over the dies, the stiffeners, and the substrate.
(FR) L'invention concerne un boîtier de dispositif et un procédé de formation de boîtier de dispositif. Le boîtier de dispositif a un substrat avec des puces disposées sur le substrat. Chaque puce a une surface inférieure qui est électriquement couplée au substrat et une surface supérieure. Le boîtier de dispositif comprend en outre une pluralité de raidisseurs disposés directement sur le substrat. Les raidisseurs peuvent être directement fixés à une surface supérieure du substrat sans couche adhésive. Le boîtier de dispositif peut comprendre des raidisseurs ayant une ou plusieurs tailles et formes différentes, comprenant au moins un élément parmi un raidisseur rectangulaire, un raidisseur en forme de cadre d'image, un raidisseur en forme de L, un raidisseur en forme de H, et un raidisseur en forme de pilier rond. Le boîtier de dispositif peut comporter les raidisseurs disposés sur la surface supérieure du substrat à l'aide d'un procédé de pulvérisation à froid. Le boîtier de dispositif peut également comprendre une couche de moule formée autour et au-dessus des puces, des raidisseurs et du substrat.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)