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1. (WO2019066978) TROU D'INTERCONNEXION CONDUCTEUR ET FABRICATION D'EXTRÉMITÉ DE LIGNE MÉTALLIQUE ET STRUCTURES RÉSULTANTES
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N° de publication : WO/2019/066978 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054641
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 30.09.2017
CIB :
H01L 21/768 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
Déposants :
WALLACE, Charles H. [US/US]; US
PATEL, Reken [US/US]; US
PARK, Hyunsoo [KR/US]; US
HARAN, Mohit K. [IN/US]; US
BASU, Debashish [IN/US]; US
WARD, Curtis W. [US/US]; US
BRAIN, Ruth A. [US/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
WALLACE, Charles H.; US
PATEL, Reken; US
PARK, Hyunsoo; US
HARAN, Mohit K.; US
BASU, Debashish; US
WARD, Curtis W.; US
BRAIN, Ruth A.; US
Mandataire :
PUGH, Joseph A.; US
COFIELD, Michael A.; US
BLANK, Eric S.; US
ROJO, Estiven; US
BRASK, Justin K.; US
AUYEUNG, Al; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
WANG, Yuke; US
YATES, Steven D.; US
SULLIVAN, Stephen G.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) CONDUCTIVE VIA AND METAL LINE END FABRICATION AND STRUCTURES RESULTING THEREFROM
(FR) TROU D'INTERCONNEXION CONDUCTEUR ET FABRICATION D'EXTRÉMITÉ DE LIGNE MÉTALLIQUE ET STRUCTURES RÉSULTANTES
Abrégé :
(EN) Conductive via and metal line end fabrication is described. In an example, an interconnect structure includes a first inter-layer dielectric (ILD) on a hardmask layer, where the ILD includes a first ILD opening and a second ILD opening. The interconnect structure further includes an etch stop layer (ESL) on the ILD layer, where the ESL includes a first ESL opening aligned with the first ILD opening to form a first via opening, and where the ESL layer includes a second ESL opening aligned with the second ILD opening. The interconnect structure further includes a first via in the first via opening, a second ILD layer on the first ESL, and a metal line in the second ILD layer, where the metal line is in contact with the first via, and where the metal line includes a first metal opening, and where the metal line includes a second metal opening aligned with the second ILD opening and the ESL opening to form a second via opening. The interconnect structure further includes a metal line end in the first metal opening and further includes a second via in the metal line, where the second via is in the second via opening.
(FR) L'invention concerne un trou d'interconnexion conducteur et une fabrication d'extrémité de ligne métallique. Dans un exemple, une structure d'interconnexion comprend un premier diélectrique intercouche (ILD) sur une couche de masque dur, l'ILD comprenant une première ouverture ILD et une seconde ouverture ILD. La structure d'interconnexion comprend en outre une couche d'arrêt de gravure (ESL) sur la couche ILD, l'ESL comprenant une première ouverture d'ESL alignée avec la première ouverture ILD pour former une première ouverture d'interconnexion, et où la couche d'ESL comprend une seconde ouverture d'ESL alignée avec la seconde ouverture ILD. La structure d'interconnexion comprend en outre un premier trou d'interconnexion dans la première ouverture d'interconnexion, une seconde couche ILD sur la première ESL, et une ligne métallique dans la seconde couche ILD, la ligne métallique étant en contact avec le premier trou d'interconnexion, et la ligne métallique comprenant une première ouverture métallique, et la ligne métallique comprenant une seconde ouverture métallique alignée avec la seconde ouverture ILD et l'ouverture d'ESL pour former une seconde ouverture de trou d'interconnexion. La structure d'interconnexion comprend en outre une extrémité de ligne métallique dans la première ouverture métallique et comprend en outre un second trou d'interconnexion dans la ligne métallique, le second trou d'interconnexion étant dans la seconde ouverture de trou d'interconnexion.
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)