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1. (WO2019066974) DIODES D'ANTENNE DE NITRURE DE GROUPE III
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N° de publication : WO/2019/066974 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054632
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 29/861 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 29/51 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
86
commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861
Diodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
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Electrodes
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caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
49
Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
51
Matériaux isolants associés à ces électrodes
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
GOSSNER, Harald; DE
BAUMGARTNER, Peter; DE
HODEL, Uwe; DE
SIPRAK, Domagoj; DE
LEUSCHNER, Stephan; DE
GEIGER, Richard; DE
THEN, Han Wui; US
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
DASGUPTA, Sansaptak; US
Mandataire :
GUGLIELMI, David L.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) GROUP III-NITRIDE ANTENNA DIODE
(FR) DIODES D'ANTENNE DE NITRURE DE GROUPE III
Abrégé :
(EN) A Group III-Nitride (III-N) device structure is presented comprising: a heterostructure having three or more layers comprising III-N material, a cathode comprising donor dopants, wherein the cathode is on a first layer of the heterostructure, an anode within a recess that extends through two or more of the layers of the heterostructure, wherein the anode comprises a first region wherein the anode is separated from the heterostructure by a high k dielectric material, and a second region wherein the anode is in direct contact with the heterostructure, and a conducting region in the first layer in direct contact to the cathode and conductively connected to the anode. Other embodiments are also disclosed and claimed.
(FR) L'invention concerne une structure de dispositif de nitrure de groupe III (III-N) comprenant : une hétérostructure ayant trois couches ou plus comprenant un matériau III-N, une cathode comprenant des dopants donneurs, la cathode se trouvant sur une première couche de l'hétérostructure, une anode à l'intérieur d'un évidement qui s'étend à travers au moins deux des couches de l'hétérostructure, l'anode comprenant une première région dans laquelle l'anode est séparée de l'hétérostructure par un matériau diélectrique à constante diélectrique élevée, et une seconde région dans laquelle l'anode est en contact direct avec l'hétérostructure, et une région conductrice dans la première couche en contact direct avec la cathode et connectée de manière conductrice à l'anode. L'invention concerne également d'autres modes de réalisation.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)