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1. (WO2019066973) DISPOSITIFS AU NITRURE DU GROUPE III (III-N) À RÉSISTANCE DE CONTACT RÉDUITE ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/066973 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054631
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 29/51 (2006.01) ,H01L 29/49 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
778
avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
43
caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
49
Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
51
Matériaux isolants associés à ces électrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
43
caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
49
Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054, US
Inventeurs :
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
THEN, Han Wui; US
DASGUPTA, Sansaptak; US
Mandataire :
HOWARD, James M.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) GROUP III-NITRIDE (III-N) DEVICES WITH REDUCED CONTACT RESISTANCE AND THEIR METHODS OF FABRICATION
(FR) DISPOSITIFS AU NITRURE DU GROUPE III (III-N) À RÉSISTANCE DE CONTACT RÉDUITE ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) A device including a III-N material is described. In an example, a device includes a first layer including a first group III-nitride (III-N) material and a polarization charge inducing layer, including a second III-N material, above the first layer. 5 The device further includes a gate electrode above the polarization charge inducing layer and a source structure and a drain structure on opposite sides of the gate electrode. The source structure and the drain structure both include a first portion adjacent to the first layer and a second portion above the first portion, the first portion includes a third III-N material with an impurity dopant, and the second portion 10 includes a fourth III-N material, where the fourth III-N material includes the impurity dopant and further includes indium, where the indium content increases with distance from the first portion.
(FR) L'invention concerne un dispositif comprenant un matériau du groupe III-N. Dans un exemple, un dispositif comprend une première couche comprenant un premier matériau de nitrure du groupe III (III-N) et une couche induisant une charge de polarisation, comprenant un second matériau du groupe III-N, au-dessus de la première couche. Le dispositif comprend en outre une électrode de grille au-dessus de la couche d'induction de charge de polarisation et une structure de source et une structure de drain sur des côtés opposés de l'électrode de grille. La structure de source et la structure de drain comprennent toutes deux une première partie adjacente à la première couche et une seconde partie au-dessus de la première partie, la première partie comprenant un troisième matériau du groupe III-N avec un dopant d'impureté, et la seconde partie 10 comprend un quatrième matériau du groupe III-N, le quatrième matériau du groupe III-N comprenant le dopant d'impureté et comprenant en outre de l'indium, la teneur en indium augmentant avec la distance à partir de la première partie.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)