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1. (WO2019066968) STRUCTURES PERMETTANT DE CONDUIRE DE LA CHALEUR AU MOYEN D'UN DISPOSITIF SOUS BOÎTIER ET LEUR PROCÉDÉ D'OBTENTION
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N° de publication : WO/2019/066968 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054618
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 23/367 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36
Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
367
Refroidissement facilité par la forme du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31
caractérisées par leur disposition
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard SANTA CLARA, California 95054, US
Inventeurs :
GOMES, Wilfred; US
MAHAJAN, Ravindranath V.; US
VISWANATH, Ram S.; US
Mandataire :
CONINGSBY, Donna Jo; US
MALLIE, Michael J.; US
VINCENT, Lester J.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) STRUCTURES FOR CONDUCTING HEAT WITH A PACKAGED DEVICE AND METHOD OF PROVIDING SAME
(FR) STRUCTURES PERMETTANT DE CONDUIRE DE LA CHALEUR AU MOYEN D'UN DISPOSITIF SOUS BOÎTIER ET LEUR PROCÉDÉ D'OBTENTION
Abrégé :
(EN) Techniques and mechanisms for conducting heat with a packaged integrated circuit (IC) device. In an embodiment, the IC device comprises a package substrate and one or more IC dies coupled thereto, where a thermal conductor of the IC device extends through the package substrate. A thermal conductivity of the thermal conductor is more than 20 Watts per meter per degree Kelvin (W/mK). In another embodiment, thermal conductor further extends at least partially through a mold compound disposed on the one or more IC dies.
(FR) L'invention concerne des techniques et des mécanismes permettant de conduire de la chaleur au moyen d'un dispositif à circuit intégré (CI) sous boîtier. Dans un mode de réalisation, le dispositif à CI comprend un substrat de boîtier et une ou plusieurs puces à CI couplées à ce dernier, un conducteur thermique du dispositif à CI s'étendant à travers le substrat de boîtier. La conductivité thermique du conducteur thermique est supérieure à 20 Watts par mètre par degré Kelvin (W/mK). Dans un autre mode de réalisation, le conducteur thermique se prolonge au moins partiellement dans un composé de moule disposé sur lesdites puces à CI.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)