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1. (WO2019066966) CIRCUIT CMOS AVEC UN TRANSISTOR DE NITRURE DU GROUPE III ET SON PROCÉDÉ DE FOURNITURE
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N° de publication : WO/2019/066966 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054601
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 21/8238 (2006.01) ,H01L 27/092 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8238
Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
08
comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
085
comprenant uniquement des composants à effet de champ
088
les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
092
Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
RACHMADY, Willy; US
PILLARISETTY, Ravi; US
THEN, Han Wui; US
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
DASGUPTA, Sansaptak; US
LE, Van H.; US
Mandataire :
MILLER, Dermot; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) CMOS CIRCUIT WITH A GROUP III-NITRIDE TRANSISTOR AND METHOD OF PROVIDING SAME
(FR) CIRCUIT CMOS AVEC UN TRANSISTOR DE NITRURE DU GROUPE III ET SON PROCÉDÉ DE FOURNITURE
Abrégé :
(EN) Techniques and mechanisms for providing a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) circuit which includes a group III-nitride (III-N) material. In an embodiment, an n-type transistor of the CMOS circuit comprises structures which are variously disposed on a group III-N semiconductor material. The n-type transistor is coupled to a p-type transistor of the CMOS circuit, wherein a channel region of the p-type transistor comprises a group III-V semiconductor material. The channel region is configured to conduct current along a first direction, where a surface portion of the group III-N semiconductor material extends along a second direction perpendicular to the second direction. In another embodiment, the group III-N semiconductor material includes a gallium-nitride (GaN) compound, and the group III-V semiconductor material includes a nanopillar of an indium antimonide (InSb) compound.
(FR) L'invention concerne des techniques et des mécanismes permettant de fournir un circuit semi-conducteur à oxyde de métal complémentaire (CMOS) qui comprend un matériau de nitrure du groupe III (III-N). Selon un mode de réalisation, un transistor de type n du circuit CMOS comprend des structures qui sont disposées de diverses manières sur un matériau semi-conducteur du groupe III-N. Le transistor de type n est couplé à un transistor de type p du circuit CMOS, une région de canal du transistor de type p comprenant un matériau semi-conducteur du groupe III-V. La région de canal est configurée pour conduire un courant le long d'une première direction, une partie de surface du matériau semi-conducteur du groupe III-N s'étendant le long d'une seconde direction perpendiculaire à la seconde direction. Selon un autre mode de réalisation, le matériau semi-conducteur du groupe III-N comprend un composé de nitrure de gallium (GaN), et le matériau semi-conducteur du groupe III-V comprend un nanopilier d'un composé d'antimoniure d'indium (InSb).
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)