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1. (WO2019066965) DISPOSITIF, PROCÉDÉ ET SYSTÈME POUR FAVORISER LA CONTRAINTE DE CANAL DANS UN TRANSISTOR NMOS
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N° de publication : WO/2019/066965 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054598
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 21/8238 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8238
Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
MEHANDRU, Rishabh; US
MURTHY, Anand; US
JAMBUNATHAN, Karthik; US
BOMBERGER, Cory; US
Mandataire :
MILLER, Dermot; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) DEVICE, METHOD AND SYSTEM FOR PROMOTING CHANNEL STRESS IN AN NMOS TRANSISTOR
(FR) DISPOSITIF, PROCÉDÉ ET SYSTÈME POUR FAVORISER LA CONTRAINTE DE CANAL DANS UN TRANSISTOR NMOS
Abrégé :
(EN) Techniques and mechanisms for imposing stress on a channel region of an NMOS transistor. In an embodiment, a fin structure on a semiconductor substrate includes two source or drain regions of the transistor, wherein a channel region of the transistor is located between the source or drain regions. At least on such source or drain region includes a doped silicon germanium (SiGe) compound, wherein dislocations in the SiGe compound result in the at least one source or drain region exerting a tensile stress on the channel region. In another embodiment, source or drain regions of a transistor each include a SiGe compound which comprises at least 50 wt% germanium.
(FR) L'invention concerne des techniques et des mécanismes pour imposer une contrainte sur une région de canal d'un transistor NMOS. Dans un mode de réalisation, une structure d'ailette sur un substrat semi-conducteur comprend deux régions de source ou de drain du transistor, une région de canal du transistor étant située entre les régions de source ou de drain. Au moins sur une telle région de source ou de drain est présent un composé de silicium-germanium (SiGe) dopé, des dislocations dans le composé SiGe conduisant à l'au moins une région de source ou de drain exerçant une contrainte de traction sur la région de canal. Dans un autre mode de réalisation, des régions de source ou de drain d'un transistor comprennent chacune un composé SiGe qui comprend au moins 50 % en poids de germanium.
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)