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1. (WO2019066963) TRANSISTOR DE CÔTÉ ARRIÈRE VERTICAL À MATÉRIAU FERROÉLECTRIQUE
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N° de publication : WO/2019/066963 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054594
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 27/108 (2006.01) ,H01L 27/11502 (2017.01) ,H01L 49/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
108
Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire
[IPC code unknown for ERROR Code IPC incorrect: sous-groupe non valide (0=>999999)!]
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49
Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
Dispositifs à film mince ou à film épais
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054, US
Inventeurs :
MORRIS, Daniel H.; US
AVCI, Uygar E.; US
YOUNG, Ian A.; US
Mandataire :
MUGHAL, Usman A.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) VERTICAL BACKEND TRANSISTOR WITH FERROELECTRIC MATERIAL
(FR) TRANSISTOR DE CÔTÉ ARRIÈRE VERTICAL À MATÉRIAU FERROÉLECTRIQUE
Abrégé :
(EN) Described is an apparatus which comprises: a word line; a source line; a bit-line; and a memory bit-cell coupled to the source line, the bit-line, and the word line, wherein the memory bit-cell comprises a capacitor including ferroelectric material and a transistor fabricated on a backend of a die.
(FR) L'invention concerne un appareil qui comprend : une ligne de mots ; une ligne de source ; une ligne binaire ; et une cellule binaire de mémoire connectée à la ligne de source, la ligne binaire et la ligne de mots, la cellule binaire de mémoire comprenant un condensateur comprenant un matériau ferroélectrique et un transistor fabriqué sur un côté arrière d'une puce.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)