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1. (WO2019066961) TRANSISTOR À COUCHES MINCES À GRILLE ARRIÈRE CRISTALLINE MULTICOUCHE
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N° de publication : WO/2019/066961 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054589
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 27/108 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
108
Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
LE, Van H.; US
SHARMA, Abhishek A.; US
DEWEY, Gilbert; US
MILLARD, Kent; US
KAVALIEROS, Jack; US
SHIVARAMAN, Shriram; US
TRONIC, Tristan A.; US
GARDNER, Sanaz; US
WEBER, Justin R.; US
GHANI, Tahir; US
TAN, Li Huey; US
LIN, Kevin; US
Mandataire :
MUGHAL, Usman; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MULTI-LAYER CRYSTALLINE BACK GATED THIN FILM TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES À GRILLE ARRIÈRE CRISTALLINE MULTICOUCHE
Abrégé :
(EN) Described is an apparatus which comprises: a gate comprising a metal; a first layer adjacent to the gate, the first layer comprising a dielectric material; a second layer adjacent to the first layer, the second layer comprising a second material; a third layer adjacent to the second layer, the third layer comprising a third material including an amorphous metal oxide; a fourth layer adjacent to the third layer, the fourth layer comprising a fourth material, wherein the fourth and second materials are different than the third material; a source partially adjacent to the fourth layer; and a drain partially adjacent to the fourth layer.
(FR) L'invention concerne un appareil qui comprend : une grille comprenant un métal ; une première couche adjacente à la grille, la première couche comprenant un matériau diélectrique ; une seconde couche adjacente à la première couche, la seconde couche comprenant un second matériau ; une troisième couche adjacente à la seconde couche, la troisième couche comprenant un troisième matériau comprenant un oxyde métallique amorphe ; une quatrième couche adjacente à la troisième couche, la quatrième couche comprenant un quatrième matériau, les quatrième et second matériaux étant différents du troisième matériau ; une source partiellement adjacente à la quatrième couche ; et un drain partiellement adjacent à la quatrième couche.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)