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1. (WO2019066956) COMMUNICATION DE PUCE INTRA-SEMI-CONDUCTRICE PAR L'INTERMÉDIAIRE D'UN GUIDE D'ONDES DANS UN BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR À PUCES MULTIPLES
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N° de publication : WO/2019/066956 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054580
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01P 3/12 (2006.01) ,H01P 5/02 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
P
GUIDES D'ONDES; RÉSONATEURS, LIGNES OU AUTRES DISPOSITIFS DU TYPE GUIDE D'ONDES
3
Guides d'ondes; Lignes de transmission du type guide d'ondes
12
Guides d'ondes creux
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
P
GUIDES D'ONDES; RÉSONATEURS, LIGNES OU AUTRES DISPOSITIFS DU TYPE GUIDE D'ONDES
5
Dispositifs de couplage du type guide d'ondes
02
à coefficient de couplage invariable
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
065
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L27/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
AYGUN, Kemal; US
QIAN, Zhi Quo; US
XIE, Jian Yong; US
Mandataire :
CZARNECKI, Michael S.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) INTRA-SEMICONDUCTOR DIE COMMUNICATION VIA WAVEGUIDE IN A MULTI-DIE SEMICONDUCTOR PACKAGE
(FR) COMMUNICATION DE PUCE INTRA-SEMI-CONDUCTRICE PAR L'INTERMÉDIAIRE D'UN GUIDE D'ONDES DANS UN BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR À PUCES MULTIPLES
Abrégé :
(EN) An interposer layer includes an integral waveguide to facilitate high speed (e.g., greater than 80 GHz) communication between semiconductor dies in a semiconductor package. An interposer layer may include a waveguide member and a dielectric layer disposed adjacent at least a portion of an exterior perimeter of the waveguide member. The waveguide member includes a material having a first relative permittivity. The dielectric member includes a material having a second relative permittivity that is less than the first relative permittivity. The waveguide member and the dielectric member form an interposer layer having an upper surface and a lower surface. A first conductive sheet may be disposed proximate the upper surface of the interposer layer and a second conductive sheet may be disposed proximate the lower surface of the interposer layer.
(FR) L'invention concerne une couche d'interposeur comprenant un guide d'ondes intégré pour faciliter une communication à haut débit (par exemple, supérieure à 80 GHz) entre des puces semi-conductrices dans un boîtier de semi-conducteur. Une couche d'interposeur peut comprendre un élément guide d'ondes et une couche diélectrique disposée adjacente à au moins une partie d'un périmètre extérieur de l'élément guide d'ondes. L'élément guide d'ondes comprend un matériau ayant une première permittivité relative. L'élément diélectrique comprend un matériau ayant une seconde permittivité relative qui est inférieure à la première permittivité relative. L'élément guide d'ondes et l'élément diélectrique forment une couche d'interposeur ayant une surface supérieure et une surface inférieure. Une première feuille conductrice peut être disposée à proximité de la surface supérieure de la couche d'interposeur et une seconde feuille conductrice peut être disposée à proximité de la surface inférieure de la couche d'interposeur.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)