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1. (WO2019066955) SURCROISSANCE ÉPITAXIALE LATÉRALE EN PLUSIEURS ÉTAPES DE FILMS DE III-N À FAIBLE DENSITÉ DE DÉFAUTS
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N° de publication : WO/2019/066955 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054579
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
DASGUPTA, Sansaptak; US
THEN, Han Wui; US
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
AGABABOV, Pavel M.; US
Mandataire :
GREEN, Blayne; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MULTI-STEP LATERAL EPITAXIAL OVERGROWTH FOR LOW DEFECT DENSITY III-N FILMS
(FR) SURCROISSANCE ÉPITAXIALE LATÉRALE EN PLUSIEURS ÉTAPES DE FILMS DE III-N À FAIBLE DENSITÉ DE DÉFAUTS
Abrégé :
(EN) Techniques related to forming low defect density III-N films, device structures, and systems incorporating such films are discussed. Such techniques include epitaxially growing a first crystalline III-N structure within an opening of a first dielectric layer and extending onto the first dielectric layer, forming a second dielectric layer over the first dielectric layer and laterally adjacent to a portion of the first structure, and epitaxially growing a second crystalline III-N structure extending laterally onto a region of the second dielectric layer.
(FR) L'invention concerne des techniques associées à la formation de films de III-N à faible densité de défauts, des structures de dispositif et des systèmes incorporant de tels films. Ces techniques consistent à faire croître de manière épitaxiale une première structure cristalline de III-N à l'intérieur d'une ouverture d'une première couche diélectrique et s'étendant sur la première couche diélectrique, à former une seconde couche diélectrique sur la première couche diélectrique et latéralement adjacente à une partie de la première structure, et à faire croître de manière épitaxiale une seconde structure cristalline de III-N s'étendant latéralement sur une région de la seconde couche diélectrique.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)