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1. (WO2019066936) DISPOSITIFS ÉLECTROLUMINESCENTS COMPORTANT DES STRUCTURES DE PUITS QUANTIQUE SUR DES PLANS CRISTALLINS SEMI-POLAIRES OU NON POLAIRES
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N° de publication : WO/2019/066936 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054475
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 33/04 (2010.01) ,H01L 33/00 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
04
ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
DASGUPTA, Sansaptak; US
THEN, Han Wui; US
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
FISCHER, Paul; US
LIN, Kevin; US
Mandataire :
HOWARD, James; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) LIGHT EMITTING DEVICES WITH QUANTUM WELL STRUCTURES ON SEMI-POLAR OR NON-POLAR CRYSTAL PLANES
(FR) DISPOSITIFS ÉLECTROLUMINESCENTS COMPORTANT DES STRUCTURES DE PUITS QUANTIQUE SUR DES PLANS CRISTALLINS SEMI-POLAIRES OU NON POLAIRES
Abrégé :
(EN) Light emitting devices including a quantum well (QW) structure over a semi-polar or non-polar plane of a III-N crystal. Quantum efficiency may be improved where electric fields associated with polar material interfaces are reduced or avoided within the QW structure. A multi-step epitaxial growth may be performed from a Group IV substrate, such as silicon. The growth may initiate from within a trench in an amorphous substrate mask, from a fin of substrate material, or from a surface of a pit in the substrate. Epitaxial growth of the III-N crystal along the c-axis generates a semi-polar or polar plane upon which the QW structure is then grown. Device contacts are coupled across the QW structure. One of the contacts may be through the substrate and an impurity-doped portion of the III-N crystal below the QW structure.
(FR) L'invention concerne des dispositifs électroluminescents comprenant une structure de puits quantique (QW) sur un plan semi-polaire ou non polaire d'un cristal de III-N. Il est possible d'améliorer l'efficacité quantique lorsque l'on réduit ou évite des champs électriques associés à des interfaces de matériau polaire à l'intérieur de la structure de QW. Il est possible d'obtenir une croissance épitaxiale en plusieurs étapes au moyen d'un substrat du groupe IV, tel qu'en silicium. La croissance peut commencer à partir de l'intérieur d'une tranchée dans un masque de substrat amorphe, à partir d'une ailette de matériau de substrat, ou à partir d'une surface d'une dépression régulière du substrat. La croissance épitaxiale du cristal de III-N le long de l'axe c génère un plan semi-polaire ou polaire sur lequel croît ensuite la structure de QW. Des contacts de dispositif sont couplés à travers la structure de QW. L'un des contacts peut être établi à travers le substrat et une partie dopée par des impuretés du cristal de III-N sous la structure de QW.
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)