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1. (WO2019066931) CIRCUIT RÉGULATEUR DE TENSION COMPRENANT UN OU PLUSIEURS TRANSISTORS À COUCHES MINCES
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N° de publication : WO/2019/066931 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054439
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
SHARMA, Abhishek A.; US
LE, Van H.; US
SUNG, Seung Hoon; US
PILLARISETTY, Ravi; US
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
Mandataire :
PARKER, Wesley E.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
AUYEUNG, Al; US
RASKIN, Vladimir; US
DANSKIN, Timothy A.; US
MOORE, Michael S.; US
STRAUSS, Ryan N.; US
COFIELD, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
WANG, Yuke; US
YATES, Steven; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BRASK, Justin; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) VOLTAGE REGULATOR CIRCUIT INCLUDING ONE OR MORE THIN-FILM TRANSISTORS
(FR) CIRCUIT RÉGULATEUR DE TENSION COMPRENANT UN OU PLUSIEURS TRANSISTORS À COUCHES MINCES
Abrégé :
(EN) Described herein are apparatuses, systems, and methods associated with a voltage regulator circuit that includes one or more thin-film transistors (TFTs). The TFTs may be formed in the back-end of an integrated circuit. Additionally, the TFTs may include one or more unique features, such as a channel layer treated with a gas or plasma, and/or a gate oxide layer that is thicker than in prior TFTs. The one or more TFTs of the voltage regulator circuit may improve the operation of the voltage regulator circuit and free up front-end substrate area for other devices. Other embodiments may be described and claimed.
(FR) La présente invention concerne des appareils, des systèmes et des procédés associés à un circuit régulateur de tension qui comprend un ou plusieurs transistors à couches minces (TFT). Les TFT peuvent être disposés à l'arrière d'un circuit intégré. De plus, les TFT peuvent comprendre une ou plusieurs caractéristiques uniques, telles qu'une couche de canal traitée au moyen d'un gaz ou d'un plasma, et/ou une couche d'oxyde de grille qui est plus épaisse que dans les TFT existants. Lesdits TFT du circuit régulateur de tension peuvent améliorer le fonctionnement du circuit régulateur de tension et libérer la zone de substrat avant pour d'autres dispositifs. La présente invention concerne également d'autres modes de réalisation.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)