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1. (WO2019066912) CONTACTS AUTO-ALIGNÉS POUR TRANSISTORS À COUCHES MINCES
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N° de publication : WO/2019/066912 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054368
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 29/786 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
Déposants :
LE, Van H. [US/US]; US
SHARMA, Abhishek A. [IN/US]; US
CHU-KUNG, Benjamin [US/US]; US
DEWEY, Gilbert [US/US]; US
PILLARISETTY, Ravi [US/US]; US
RESHOTKO, Miriam R. [US/US]; US
SHIVARAMAN, Shriram [IN/US]; US
TAN, Li Huey [MY/US]; US
TRONIC, Tristan A. [US/US]; US
KAVALIEROS, Jack T. [US/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
LE, Van H.; US
SHARMA, Abhishek A.; US
CHU-KUNG, Benjamin; US
DEWEY, Gilbert; US
PILLARISETTY, Ravi; US
RESHOTKO, Miriam R.; US
SHIVARAMAN, Shriram; US
TAN, Li Huey; US
TRONIC, Tristan A.; US
KAVALIEROS, Jack T.; US
Mandataire :
WANG, Yuke; US
PUGH, Joseph A.; US
COFIELD, Michael A.; US
BLANK, Eric S.; US
ROJO, Estiven; US
BRASK, Justin K.; US
AUYEUNG, Al; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
YATES, Steven D.; US
SULLIVAN, Stephen G.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SELF-ALIGNED CONTACTS FOR THIN FILM TRANSISTORS
(FR) CONTACTS AUTO-ALIGNÉS POUR TRANSISTORS À COUCHES MINCES
Abrégé :
(EN) Embodiments herein describe techniques for a semiconductor device, which may include a substrate, and a U-shaped channel above the substrate. The U-shaped channel may include a channel bottom, a first channel wall and a second channel wall parallel to each other, a source area, and a drain area. A gate dielectric layer may be above the substrate and in contact with the channel bottom. A gate electrode may be above the substrate and in contact with the gate dielectric layer. A source electrode may be coupled to the source area, and a drain electrode may be coupled to the drain area. Other embodiments may be described and/or claimed.
(FR) Des modes de réalisation de la présente invention décrivent des techniques pour un dispositif à semi-conducteur, qui peut comprendre un substrat, et un canal en forme de U au-dessus du substrat. Le canal en forme de U peut comprendre un fond de canal, une première paroi de canal et une seconde paroi de canal parallèles les uns aux autres, une zone de source et une zone de drain. Une couche diélectrique de grille peut être au-dessus du substrat et en contact avec le fond de canal. Une électrode de grille peut être au-dessus du substrat et en contact avec la couche diélectrique de grille. Une électrode de source peut être couplée à la zone de source, et une électrode de drain peut être couplée à la zone de drain. D'autres modes de réalisation peuvent être décrits et/ou revendiqués.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)