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1. (WO2019066908) DIODES À JONCTIONS DE POLARISATION AU NITRURE DU GROUPE III
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N° de publication : WO/2019/066908 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054358
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 29/861 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
86
commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861
Diodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
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Types de dispositifs semi-conducteurs
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
THEN, Han, Wui; US
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
DASGUPTA, Sansaptak; US
Mandataire :
HOWARD, James; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) GROUP III-NITRIDE POLARIZATION JUNCTION DIODES
(FR) DIODES À JONCTIONS DE POLARISATION AU NITRURE DU GROUPE III
Abrégé :
(EN) Diodes employing one or more Group Ill-Nitride polarization junctions. A III-N polarization junction may include two III-N material layers having opposite crystal polarities. The opposing polarities may induce a two-dimensional charge sheet (e.g., 2D electron gas) within each of the two III-N material layers. Opposing crystal polarities may be induced through introduction of an intervening layer between two III-N material layers. The intervening layer may be of a material other than a Group Ill-Nitride. Where a P-i-N diode structure includes two Group Ill-Nitride polarization junctions, opposing crystal polarities at a first of such junctions may induce a 2D electron gas (2DEG), while opposing crystal polarities at a second of such junctions may induce a 2D hole gas (2DHG). Diode terminals may then couple to each of the 2DEG and 2DHG.
(FR) L'invention concerne des diodes faisant appel à une ou plusieurs jonctions de polarisation au nitrure du groupe III. Une jonction de polarisation au III-N peut comprendre deux couches de matériau de III-N ayant des polarités cristallines contraires. Les polarités contraires peuvent induire une feuille de charge bidimensionnelle (par exemple, un gaz d'électrons 2D) à l'intérieur de chacune des deux couches de matériau de III-N. Des polarités cristallines contraires peuvent être induites par l'introduction d'une couche intermédiaire entre deux couches de matériau de III-N. La couche intermédiaire peut être constituée d'un matériau autre qu'un nitrure du groupe III. Lorsqu'une structure de diode P-i-N comprend deux jonctions de polarisation au nitrure du groupe III, des polarités cristallines contraires au niveau d'une première de ces jonctions peuvent induire un gaz d'électrons 2D (2DEG), tandis que des polarités cristallines contraires au niveau d'une seconde de ces jonctions peuvent induire un gaz de trou 2D (2DHG). Des bornes de diode peuvent ensuite se coupler à chacun des 2DEG et 2DHG.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)