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1. (WO2019066906) SRAM UTILISANT DES 2T-2S
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N° de publication : WO/2019/066906 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054330
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
G11C 11/417 (2006.01) ,H01L 27/11 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
34
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40
utilisant des transistors
41
formant des cellules avec réaction positive, c. à d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p.ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt
413
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture, la synchronisation ou la réduction de la consommation
417
pour des cellules de mémoire du type à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
11
Structures de mémoires statiques à accès aléatoire
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
SHARMA, Abhishek A.; US
DOYLE, Brian S.; US
PILLARISETTY, Ravi; US
MAJHI, Prashant; US
Mandataire :
MALONEY, Neil F.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SRAM USING 2T-2S
(FR) SRAM UTILISANT DES 2T-2S
Abrégé :
(EN) A 2T-2S SRAM cell exhibiting a complementary scheme, that includes two selector devices that exhibit negative differential resistance. Advantages include lower area and better performance than traditional SRAM cells, according to some embodiments. The term 1T-1S refers to a transistor in series with a selector device. Accordingly, the term 2T-2S refers to two such 1T-1S structures.
(FR) L'invention concerne une cellule SRAM 2T-2S présentant un schéma complémentaire, qui comprend deux dispositifs de sélection qui présentent une résistance différentielle négative. Les avantages comprennent une zone inférieure et une meilleure performance que les cellules SRAM classiques, selon certains modes de réalisation. Le terme 1T-1S se réfère à un transistor en série avec un dispositif sélecteur. Par conséquent, le terme 2T-2S se réfère à deux de ces structures 1T-1S.
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Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)