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1. (WO2019066903) INTERCONNEXION EN ALLIAGE À MÉMOIRE DE FORME
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N° de publication : WO/2019/066903 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054317
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 23/40 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 23/367 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
40
Supports ou moyens de fixation pour les dispositifs de refroidissement ou de chauffage amovibles
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36
Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
367
Refroidissement facilité par la forme du dispositif
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
LAI, Min-Tih; US
KIM, Hyoung Il; US
Mandataire :
MARLINK, Jeffrey S.; US
AUYEUNG, Al; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
BLANK, Eric S.; US
BRASK, Justin K.; US
COFIELD, Michael A.; US
COWGER, Graciela G.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
FORD, Stephen S.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
WANG, Yuke; US
YATES, Steven D.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MEMORY SHAPE ALLOY INTERCONNECT
(FR) INTERCONNEXION EN ALLIAGE À MÉMOIRE DE FORME
Abrégé :
(EN) Herein described are apparatuses, systems, and methods related to an interconnect formed of a memory shape alloy for a semiconductor package. A semiconductor device may include a semiconductor package with a contact and an interconnect coupled to the contact of the semiconductor package. The interconnect may be formed of a memory shape alloy and may be to couple the semiconductor package to a printed circuit board (PCB). Other embodiments may be described and/or claimed.
(FR) La présente invention concerne des appareils, des systèmes et des procédés se rapportant à une interconnexion formée d'un alliage à mémoire de forme pour un boîtier de semiconducteur. Un dispositif semiconducteur peut comprendre un boîtier de semiconducteur muni d'un contact et d'une interconnexion reliée au contact du boîtier de semiconducteur. L'interconnexion peut être formée d'un alliage à mémoire de forme et peut être destinée à relier le boîtier de semiconducteur à une carte à circuit imprimé (PCB). L'invention peut également concerner d'autres modes de réalisation.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)