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1. (WO2019066898) CELLULE DE MÉMOIRE À CHANGEMENT DE PHASE INTÉGRÉE AUTO-ALIGNÉE
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N° de publication : WO/2019/066898 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054295
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 45/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
KUO, Charles C. [US/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
KUO, Charles C.; US
Mandataire :
SULLIVAN, Stephen G.; US
BRASK, Justin K.; US
AUYEUNG, Al; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
BLANK, Eric S.; US
COFIELD, Michael A.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
PUGH, Joseph A.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
WANG, Yuke; US
YATES, Steven D.; US
ROJO, Estiven; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SELF-ALIGNED EMBEDDED PHASE CHANGE MEMORY CELL
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE À CHANGEMENT DE PHASE INTÉGRÉE AUTO-ALIGNÉE
Abrégé :
(EN) An integrated circuit comprising a self-aligned embedded phase change memory cell is described. In an example, the integrated circuit includes a bottom electrode. A conductive line is above the bottom electrode along a first direction above a substrate. A memory element is coupled between the bottom electrode and the conductive line, the memory element comprising a phase change material layer that is self-aligned with the conductive line.
(FR) La présente invention concerne un circuit intégré comprenant une cellule de mémoire à changement de phase intégrée auto-alignée. Dans un exemple, le circuit intégré comprend une électrode inférieure. Une ligne conductrice est au-dessus de l'électrode inférieure le long d'une première direction au-dessus d'un substrat. Un élément de mémoire est couplé entre l'électrode inférieure et la ligne conductrice, l'élément de mémoire comprenant une couche de matériau à changement de phase qui est auto-alignée avec la ligne conductrice.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)