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1. (WO2019066896) CAPUCHON D'ISOLATEUR DOPÉ POUR RÉDUIRE LA DIFFUSION DE SOURCE/DRAIN DE TRANSISTORS NMOS AU GERMANIUM
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N° de publication : WO/2019/066896 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054293
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 29/417 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
41
caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
417
transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
GLASS, Glenn A.; US
MURTHY, Anand S.; US
JAMBUNATHAN, Karthik; US
BOMBERGER, Cory C.; US
GHANI, Tahir; US
KAVALIEROS, Jack T.; US
CHU-KUNG, Benjamin; US
SUNG, Seung Hoon; US
CHOUKSEY, Siddharth; US
Mandataire :
ALBANEZE, Michael J.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) DOPED INSULATOR CAP TO REDUCE SOURCE/DRAIN DIFFUSION FOR GERMANIUM NMOS TRANSISTORS
(FR) CAPUCHON D'ISOLATEUR DOPÉ POUR RÉDUIRE LA DIFFUSION DE SOURCE/DRAIN DE TRANSISTORS NMOS AU GERMANIUM
Abrégé :
(EN) Integrated circuit transistor structures are disclosed that reduce n-type dopant diffusion, such as phosphorous or arsenic, from the source region and the drain region of a germanium n-MOS device into adjacent insulator regions during fabrication. The n-MOS transistor device may include at least 75% germanium by atomic percentage. In an example embodiment, a dopant-rich insulator cap is deposited adjacent to the source and/or drain regions, to provide dopant diffusion reduction. In some embodiments, the dopant-rich insulator cap is doped with an n-type impurity including Phosphorous in a concentration between 1 and 10 % by atomic percentage. In some embodiments, the dopant-rich insulator cap may have a thickness in the range of 10 to 100 nanometers and a height in the range of 10 to 200 nanometers.
(FR) L'invention concerne des structures de transistors à circuit intégré qui réduisent la diffusion de dopant de type n, comme le phosphore ou l'arsenic, depuis la région de source et la région de drain d'un dispositif n-MOS au germanium dans des régions d'isolateur adjacentes pendant la fabrication. Le dispositif de transistor n-MOS peut comprendre au moins 75 % de germanium en pourcentage atomique. Dans un mode de réalisation donné à titre d'exemple, un capuchon d'isolateur riche en dopant est déposé à proximité des régions de source et/ou de drain afin d'assurer une réduction de la diffusion du dopant. Dans certains modes de réalisation, le capuchon d'isolateur riche en dopant est dopé avec une impureté de type n comprenant du phosphore selon une concentration comprise entre 1 et 10 % en pourcentage atomique. Dans certains modes de réalisation, le capuchon d'isolateur riche en dopant peut présenter une épaisseur comprise entre 10 et 100 nanomètres et une hauteur comprise entre 10 et 200 nanomètres.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)