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1. (WO2019066895) STI DOPÉE PERMETTANT DE RÉDUIRE LA DIFFUSION DE SOURCE/DRAIN DE TRANSISTORS NMOS AU GERMANIUM
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N° de publication : WO/2019/066895 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054289
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
GLASS, Glenn A.; US
MURTHY, Anand S.; US
JAMBUNATHAN, Karthik; US
BOMBERGER, Cory C.; US
GHANI, Tahir; US
KAVALIEROS, Jack T.; US
CHU-KUNG, Benjamin; US
SUNG, Seung Hoon; US
CHOUKSEY, Siddharth; US
Mandataire :
ALBANEZE, Michael J.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) DOPED STI TO REDUCE SOURCE/DRAIN DIFFUSION FOR GERMANIUM NMOS TRANSISTORS
(FR) STI DOPÉE PERMETTANT DE RÉDUIRE LA DIFFUSION DE SOURCE/DRAIN DE TRANSISTORS NMOS AU GERMANIUM
Abrégé :
(EN) Integrated circuit transistor structures are disclosed that reduce n-type dopant diffusion, such as phosphorous or arsenic, from the source region and the drain region of a germanium n-MOS device into adjacent shallow trench isolation (STI) regions during fabrication. The n-MOS transistor device may include at least 75% germanium by atomic percentage. In an example embodiment, the STI is doped with an n-type impurity, in regions of the STI adjacent to the source and/or drain regions, to provide dopant diffusion reduction. In some embodiments, the STI region is doped with an n-type impurity including Phosphorous in a concentration between 1 and 10% by atomic percentage. In some embodiments, the thickness of the doped STI region may range between 10 and 100 nanometers.
(FR) L'invention concerne des structures de transistor à circuit intégré qui réduisent la diffusion de dopant de type n, telle que de phosphore ou d'arsenic, à partir de la région de source et de la région de drain d'un dispositif n-MOS au germanium dans des régions d'isolation de tranchée peu profonde (STI) adjacentes pendant la fabrication. Le dispositif transistor n-MOS peut comprendre au moins 75 % de germanium en pourcentage atomique. Selon un mode de réalisation donné à titre d'exemple, la STI est dopée avec une impureté de type n, dans des régions de la STI adjacentes aux régions de source et/ou de drain, de façon à obtenir une réduction de diffusion de dopant. Selon certains modes de réalisation, la région de STI est dopée avec une impureté de type n comprenant du phosphore selon une concentration comprise entre 1 et 10 % en pourcentage atomique. Selon certains modes de réalisation, l'épaisseur de la région de STI dopée peut s'inscrire dans une plage de 10 à 100 nanomètres.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)