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1. (WO2019066894) SÉLECTEUR À MISE À L'ÉCHELLE INDÉPENDANTE ET MÉMOIRE DANS UNE CELLULE DE MÉMOIRE
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N° de publication : WO/2019/066894 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054281
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 45/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
DOYLE, Brian S. [IE/US]; US
SHARMA, Abhishek A. [IN/US]; US
PILLARISETTY, Ravi [US/US]; US
KARPOV, Elijah V. [US/US]; US
MAJHI, Prashant [IN/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
DOYLE, Brian S.; US
SHARMA, Abhishek A.; US
PILLARISETTY, Ravi; US
KARPOV, Elijah V.; US
MAJHI, Prashant; US
Mandataire :
SULLIVAN, Stephen G.; US
BRASK, Justin K.; US
AUYEUNG, Al; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
BLANK, Eric S.; US
COFIELD, Michael A.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
PUGH, Joseph A.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
WANG, Yuke; US
YATES, Steven D.; US
ROJO, Estiven; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) INDEPENDENTLY SCALING SELECTOR AND MEMORY IN MEMORY CELL
(FR) SÉLECTEUR À MISE À L'ÉCHELLE INDÉPENDANTE ET MÉMOIRE DANS UNE CELLULE DE MÉMOIRE
Abrégé :
(EN) Embedded non-volatile memory structures having an independently sized selector element and memory element are described. In an example, a memory device includes a metal layer. A selector element is above the metal layer. A memory element is above the metal line. A spacer surrounds one of the selector element and the memory element having a smallest width, and wherein the one of the selector element and the memory element not surrounded by the spacer has a width substantially identical to the spacer and is in alignment with the spacer.
(FR) L'invention concerne des structures de mémoire non volatile intégrées ayant un élément sélecteur à taille indépendante et un élément de mémoire. Dans un exemple, un dispositif de mémoire comprend une couche métallique. Un élément sélecteur se trouve au-dessus de la couche métallique. Un élément de mémoire se trouve au-dessus de la ligne métallique. Un élément d'espacement entoure l'un parmi l'élément sélecteur et l'élément de mémoire ayant une largeur la plus petite, et l'un parmi l'élément sélecteur et l'élément de mémoire non entouré par l'élément d'espacement présente une largeur sensiblement identique à l'élément d'espacement et est aligné avec l'élément d'espacement.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)