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1. (WO2019066893) MATRICE DE MÉMOIRE DRAM À POINTS DE CROISEMENT 2S-1C 4F2
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N° de publication : WO/2019/066893 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054276
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 27/108 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
108
Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire
Déposants :
PILLARISETTY, Ravi [US/US]; US
SHARMA, Abhishek A. [IN/US]; US
MAJHI, Prashant [IN/US]; US
KARPOV, Elijah V. [US/US]; US
DOYLE, Brian S. [IE/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
PILLARISETTY, Ravi; US
SHARMA, Abhishek A.; US
MAJHI, Prashant; US
KARPOV, Elijah V.; US
DOYLE, Brian S.; US
Mandataire :
SULLIVAN, Stephen G.; US
BRASK, Justin K.; US
AUYEUNG, Al; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
BLANK, Eric S.; US
COFIELD, Michael A.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
PUGH, Joseph A.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
WANG, Yuke; US
YATES, Steven D.; US
ROJO, Estiven; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) 2S-1C 4F2 CROSS-POINT DRAM ARRAY
(FR) MATRICE DE MÉMOIRE DRAM À POINTS DE CROISEMENT 2S-1C 4F2
Abrégé :
(EN) A memory device comprises a first selector and a storage capacitor in series with the first selector. A second selector is in parallel with the storage capacitor coupled between the first selector and zero volts. A plurality of memory devices form a 2S-1C cross-point DRAM array with 4F2 or less density.
(FR) Un dispositif de mémoire comprend un premier sélecteur et un condensateur de stockage en série avec le premier sélecteur. Un second sélecteur est en parallèle avec le condensateur de stockage couplé entre le premier sélecteur et zéro volt. Une pluralité de dispositifs de mémoire forment un réseau DRAM à points de croisement 2S-1C avec 4F2 ou une densité moindre.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)