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1. WO2019066881 - DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN (STTM) À COURANT CRITIQUE RÉDUIT ET DISPOSITIF INFORMATIQUE LES COMPRENANT

Numéro de publication WO/2019/066881
Date de publication 04.04.2019
N° de la demande internationale PCT/US2017/054195
Date du dépôt international 28.09.2017
CIB
H01L 43/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02Détails
H01L 43/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08Résistances commandées par un champ magnétique
H01L 49/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 43/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
10Emploi de matériaux spécifiés
CPC
G11C 11/161
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
161details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
G11C 11/1659
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1659Cell access
G11C 11/1675
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1675Writing or programming circuits or methods
G11C 11/1697
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1697Power supply circuits
H01L 27/228
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
22including components using galvano-magnetic effects, e.g. Hall effects; using similar magnetic field effects
222Magnetic non-volatile memory structures, e.g. MRAM
226comprising multi-terminal components, e.g. transistors
228of the field-effect transistor type
H01L 43/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
02Details
Déposants
  • INTEL CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • KENCKE, David L.
  • O'BRIEN, Kevin P.
  • MAJHI, Prashant
  • DOYLE, Brian S.
  • OGUZ, Kaan
  • SHARMA, Abhishek A.
Mandataires
  • BRASK, Justin K.
  • AUYEUNG, Al
  • BERNADICOU, Michael A.
  • BLAIR, Steven R.
  • BLANK, Eric S.
  • COFIELD, Michael A.
  • DANSKIN, Timothy A.
  • HALEVA, Aaron S.
  • MAKI, Nathan R.
  • MARLINK, Jeffrey S.
  • MOORE, Michael S.
  • PARKER, Wesley E.
  • PUGH, Joseph A.
  • RASKIN, Vladimir
  • STRAUSS, Ryan N.
  • WANG, Yuke
  • YATES, Steven D.
  • SULLIVAN, Stephen G.
  • ROJO, Estiven
Données relatives à la priorité
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SPIN TRANSFER TORQUE MEMORY (STTM) DEVICES WITH DECREASED CRITICAL CURRENT AND COMPUTING DEVICE COMPRISING THE SAME
(FR) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN (STTM) À COURANT CRITIQUE RÉDUIT ET DISPOSITIF INFORMATIQUE LES COMPRENANT
Abrégé
(EN)
Spin transfer torque memory (STTM) devices incorporating an Insulator-Metal-Transition (IMT) device or at least one layer of Insulator-Metal-Transition (IMT) material are disclosed. The Insulator-Metal-Transition (IMT) device or at least one layer of Insulator-Metal-Transition (IMT) material are utilized for providing a spike current when the voltage across it exceeds the threshold voltage to reduce a critical current required for transfer torque induced magnetization switching.
(FR)
L'invention concerne des dispositifs de mémoire à couple de transfert de spin (STTM) incorporant un dispositif à transition isolant-métal (IMT) ou au moins une couche de matériau à transition isolant-métal (IMT). Le dispositif à transition isolant-métal (IMT) ou l'au moins une couche de matériau à transition isolant-métal (IMT) sont utilisés pour fournir un courant de pointe lorsque la tension aux bornes de ceux-ci dépasse la tension de seuil afin de réduire le courant critique requis pour la commutation d'aimantation induite par couple de transfert.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international