WO2019066881 DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN (STTM) À COURANT CRITIQUE RÉDUIT ET DISPOSITIF INFORMATIQUE LES COMPRENANT

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Numéro de publication WO/2019/066881

Date de publication 04.04.2019

N° de la demande internationale PCT/US2017/054195

Date du dépôt international 28.09.2017

CIB

H01L 43/02 2006.01

H01L 43/08 2006.01

H01L 49/00 2006.01

H01L 43/10 2006.01

CPC

G11C 11/161

G11C 11/1659

G11C 11/1675

G11C 11/1697

H01L 27/228

H01L 43/02

Voir plus de classifications

G11C 11/161

G11C 11/1659

G11C 11/1675

G11C 11/1697

H01L 27/228

H01L 43/02

H01L 43/08

H01L 43/10

H01L 45/04

H01L 45/1233

H01L 45/1253

H01L 45/146

Voir moins de classifications

Déposants

INTEL CORPORATION [US]/[US]

Inventeurs

KENCKE, David L.
O'BRIEN, Kevin P.
MAJHI, Prashant
DOYLE, Brian S.
OGUZ, Kaan
SHARMA, Abhishek A.

Mandataires

BRASK, Justin K.
AUYEUNG, Al
BERNADICOU, Michael A.
BLAIR, Steven R.
BLANK, Eric S.
COFIELD, Michael A.
DANSKIN, Timothy A.
HALEVA, Aaron S.
MAKI, Nathan R.
MARLINK, Jeffrey S.
MOORE, Michael S.
PARKER, Wesley E.
PUGH, Joseph A.
RASKIN, Vladimir
STRAUSS, Ryan N.
WANG, Yuke
YATES, Steven D.
SULLIVAN, Stephen G.
ROJO, Estiven

Données relatives à la priorité

Langue de publication anglais (EN)

Langue de dépôt anglais (EN)

États désignés

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Titre

(EN) SPIN TRANSFER TORQUE MEMORY (STTM) DEVICES WITH DECREASED CRITICAL CURRENT AND COMPUTING DEVICE COMPRISING THE SAME

(FR) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN (STTM) À COURANT CRITIQUE RÉDUIT ET DISPOSITIF INFORMATIQUE LES COMPRENANT

Abrégé

(EN)

Spin transfer torque memory (STTM) devices incorporating an Insulator-Metal-Transition (IMT) device or at least one layer of Insulator-Metal-Transition (IMT) material are disclosed. The Insulator-Metal-Transition (IMT) device or at least one layer of Insulator-Metal-Transition (IMT) material are utilized for providing a spike current when the voltage across it exceeds the threshold voltage to reduce a critical current required for transfer torque induced magnetization switching.

(FR)

L'invention concerne des dispositifs de mémoire à couple de transfert de spin (STTM) incorporant un dispositif à transition isolant-métal (IMT) ou au moins une couche de matériau à transition isolant-métal (IMT). Le dispositif à transition isolant-métal (IMT) ou l'au moins une couche de matériau à transition isolant-métal (IMT) sont utilisés pour fournir un courant de pointe lorsque la tension aux bornes de ceux-ci dépasse la tension de seuil afin de réduire le courant critique requis pour la commutation d'aimantation induite par couple de transfert.

Également publié en tant que

US20200357449

Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

H	ÉLECTRICITÉ
01	ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L	DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43	Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02	Détails

H	ÉLECTRICITÉ
01	ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L	DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43	Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08	Résistances commandées par un champ magnétique

H	ÉLECTRICITÉ
01	ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L	DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49	Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives

H	ÉLECTRICITÉ
01	ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L	DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43	Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
10	Emploi de matériaux spécifiés

H	ÉLECTRICITÉ
01	ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L	DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43	Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02	Détails

Traitement en cours

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G	PHYSICS
11	INFORMATION STORAGE
C	STATIC STORES
11	Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02	using magnetic elements
16	using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
161	details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell

H	ELECTRICITY
01	BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L	SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27	Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
22	including components using galvano-magnetic effects, e.g. Hall effects; using similar magnetic field effects
222	Magnetic non-volatile memory structures, e.g. MRAM
226	comprising multi-terminal components, e.g. transistors
228	of the field-effect transistor type

H	ELECTRICITY
01	BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L	SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45	Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04	Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory

H	ELECTRICITY
01	BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L	SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45	Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04	Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
12	Details
122	Device geometry
1233	adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices

H	ELECTRICITY
01	BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L	SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45	Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04	Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
12	Details
1253	Electrodes

H	ELECTRICITY
01	BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L	SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45	Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04	Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
14	Selection of switching materials
145	Oxides or nitrides
146	Binary metal oxides, e.g. TaOx