Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019066881) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN (STTM) À COURANT CRITIQUE RÉDUIT ET DISPOSITIF INFORMATIQUE LES COMPRENANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/066881 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054195
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.09.2017
CIB :
H01L 43/02 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 49/00 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49
Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
10
Emploi de matériaux spécifiés
Déposants :
DOYLE, Brian S. [IE/US]; US
MAJHI, Prashant [IN/US]; US
OGUZ, Kaan [TR/US]; US
O'BRIEN, Kevin P. [US/US]; US
SHARMA, Abhishek A. [IN/US]; US
KENCKE, David L. [US/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
DOYLE, Brian S.; US
MAJHI, Prashant; US
OGUZ, Kaan; US
O'BRIEN, Kevin P.; US
SHARMA, Abhishek A.; US
KENCKE, David L.; US
Mandataire :
BRASK, Justin K.; US
AUYEUNG, Al; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
BLANK, Eric S.; US
COFIELD, Michael A.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
PUGH, Joseph A.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
WANG, Yuke; US
YATES, Steven D.; US
SULLIVAN, Stephen G.; US
ROJO, Estiven; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SPIN TRANSFER TORQUE MEMORY (STTM) DEVICES WITH DECREASED CRITICAL CURRENT AND COMPUTING DEVICE COMPRISING THE SAME
(FR) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN (STTM) À COURANT CRITIQUE RÉDUIT ET DISPOSITIF INFORMATIQUE LES COMPRENANT
Abrégé :
(EN) Spin transfer torque memory (STTM) devices incorporating an Insulator-Metal-Transition (IMT) device or at least one layer of Insulator-Metal-Transition (IMT) material are disclosed. The Insulator-Metal-Transition (IMT) device or at least one layer of Insulator-Metal-Transition (IMT) material are utilized for providing a spike current when the voltage across it exceeds the threshold voltage to reduce a critical current required for transfer torque induced magnetization switching.
(FR) L'invention concerne des dispositifs de mémoire à couple de transfert de spin (STTM) incorporant un dispositif à transition isolant-métal (IMT) ou au moins une couche de matériau à transition isolant-métal (IMT). Le dispositif à transition isolant-métal (IMT) ou l'au moins une couche de matériau à transition isolant-métal (IMT) sont utilisés pour fournir un courant de pointe lorsque la tension aux bornes de ceux-ci dépasse la tension de seuil afin de réduire le courant critique requis pour la commutation d'aimantation induite par couple de transfert.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)