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1. (WO2019066880) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR DU GROUPE III-V AYANT DES STRUCTURES DE SOURCE ET DE DRAIN ASYMÉTRIQUES
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N° de publication : WO/2019/066880 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054193
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.09.2017
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
41
caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
423
ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
Déposants :
MA, Sean T. [US/US]; US
DEWEY, Gilbert [US/US]; US
RACHMADY, Willy [ID/US]; US
KENNEL, Harold W. [US/US]; US
HUANG, Cheng-Ying; US
METZ, Matthew V. [US/US]; US
MINUTILLO, Nicholas G. [US/US]; US
KAVALIEROS, Jack T. [US/US]; US
MURTHY, Anand S. [US/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
MA, Sean T.; US
DEWEY, Gilbert; US
RACHMADY, Willy; US
KENNEL, Harold W.; US
HUANG, Cheng-Ying; US
METZ, Matthew V.; US
MINUTILLO, Nicholas G.; US
KAVALIEROS, Jack T.; US
MURTHY, Anand S.; US
Mandataire :
BRASK, Justin K.; US
AUYEUNG, Al; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
BLANK, Eric S.; US
COFIELD, Michael A.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
PUGH, Joseph A.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
WANG, Yuke; US
YATES, Steven D.; US
SULLIVAN, Stephen G.; US
ROJO, Estiven; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) GROUP III-V SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING ASYMMETRIC SOURCE AND DRAIN STRUCTURES
(FR) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR DU GROUPE III-V AYANT DES STRUCTURES DE SOURCE ET DE DRAIN ASYMÉTRIQUES
Abrégé :
(EN) Group III-V semiconductor devices having asymmetric source and drain structures and their methods of fabrication are described. In an example, an integrated circuit structure includes a gallium arsenide layer on a substrate. A channel structure is on the gallium arsenide layer. The channel structure includes indium, gallium and arsenic. A source structure is at a first end of the channel structure and a drain structure is at a second end of the channel structure. The drain structure has a wider band gap than the source structure. A gate structure is over the channel structure.
(FR) L'invention porte sur des dispositifs à semi-conducteur du groupe III-V ayant des structures de source et de drain asymétriques, et sur leurs procédés de fabrication. Dans un exemple, une structure de circuit intégré comprend une couche d'arséniure de gallium sur un substrat. Une structure de canal se trouve sur la couche d'arséniure de gallium. La structure de canal comprend de l'indium, du gallium et de l'arsenic. Une structure de source se trouve à une première extrémité de la structure de canal et une structure de drain se trouve à une seconde extrémité de la structure de canal. La structure de drain a une bande interdite plus large que celle de la structure de source. Une structure de grille se trouve au-dessus de la structure de canal.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)