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1. (WO2019066879) FUSIBLES SEMI-CONDUCTEUR DU GROUPE III-N ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/066879 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054185
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.09.2017
CIB :
H01L 23/525 (2006.01) ,H01L 23/62 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
525
avec des interconnexions modifiables
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
58
Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
62
Protection contre l'excès de courant ou la surcharge, p.ex. fusibles, shunts
Déposants :
THEN, Han Wui [MY/US]; US
RADOSAVLJEVIC, Marko [US/US]; US
DASGUPTA, Sansaptak [IN/US]; US
TRONIC, Tristan A. [US/US]; US
PAUL, Rajat K. [BD/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
THEN, Han Wui; US
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
DASGUPTA, Sansaptak; US
TRONIC, Tristan A.; US
PAUL, Rajat K.; US
Mandataire :
BERNADICOU, Michael A.; US
AUYEUNG, Al; US
BLAIR, Steven R.; US
BLANK, Eric S.; US
BRASK, Justin K.; US
COFIELD, Michael A.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
GARTHWAITE, Martin S.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
PUGH, Joseph A.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
WANG, Yuke; US
YATES, Steven D.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) GROUP III-V SEMICONDUCTOR FUSES AND THEIR METHODS OF FABRICATION
(FR) FUSIBLES SEMI-CONDUCTEUR DU GROUPE III-N ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) Group III-V semiconductor fuses and their methods of fabrication are described. In an example, a fuse includes a gallium nitride layer on a substrate. An oxide layer is disposed in a trench in the gallium nitride layer. A first contact is on the gallium nitride layer on a first side of the trench, the first contact comprising indium, gallium and nitrogen. A second contact is on the gallium nitride layer on a second side of the trench, the second side opposite the first side, the second contact comprising indium, gallium and nitrogen. A filament is over the oxide layer in the trench, the filament coupled to the first contact and to the second contact wherein the filament comprises indium, gallium and nitrogen.
(FR) L'invention concerne des fusibles semi-conducteur du groupe III-V et leurs procédés de fabrication. Dans un exemple, un fusible comprend une couche de nitrure de gallium sur un substrat. Une couche d'oxyde est disposée dans une tranchée dans la couche de nitrure de gallium. Un premier contact est sur la couche de nitrure de gallium sur un premier côté de la tranchée, le premier contact comprenant de l'indium, du gallium et de l'azote. Un second contact est sur la couche de nitrure de gallium sur un second côté de la tranchée, le second côté étant opposé au premier côté, le second contact comprenant de l'indium, du gallium et de l'azote. Un filament est sur la couche d'oxyde dans la tranchée, le filament étant couplé au premier contact et au second contact, le filament comprenant de l'indium, du gallium et de l'azote.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)