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1. (WO2019066877) TRANSISTORS AU NITRURE DE GALLIUM AVEC PLAQUES DE CHAMP DE DRAIN ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/066877 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054173
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.09.2017
CIB :
H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
778
avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
41
caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
423
ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
Déposants :
THEN, Han Wui [MY/US]; US
LEUSCHNER, Stephan [DE/DE]; DE
RADOSAVLJEVIC, Marko [US/US]; US
DASGUPTA, Sansaptak [IN/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
THEN, Han Wui; US
LEUSCHNER, Stephan; DE
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
DASGUPTA, Sansaptak; US
Mandataire :
BERNADICOU, Michael A.; US
AUYEUNG, Al; US
BLAIR, Steven R.; US
BLANK, Eric S.; US
BRASK, Justin K.; US
COFIELD, Michael A.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
GARTHWAITE, Martin S.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
PUGH, Joseph A.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
WANG, Yuke; US
YATES, Steven D.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) GALLIUM NITRIDE TRANSISTORS WITH DRAIN FIELD PLATES AND THEIR METHODS OF FABRICATION
(FR) TRANSISTORS AU NITRURE DE GALLIUM AVEC PLAQUES DE CHAMP DE DRAIN ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) Gallium nitride (GaN) transistors with drain field plates and their methods of fabrication are described. In an example, a transistor includes a gallium nitride (GaN) layer above a substrate, a gate structure over the GaN layer, a source region on a first side of the gate structure, a drain region on a second side of the gate structure, the second side opposite the first side, and a drain field plate above the drain region, wherein the drain field plate is not electrically coupled to the gate structure or the source region.
(FR) L'invention concerne des transistors au nitrure de gallium (GaN) comprenant des plaques de champ de drain et leurs procédés de fabrication. Dans un exemple, un transistor comprend une couche de nitrure de gallium (GaN) au-dessus d'un substrat, une structure de gâchette sur la couche de GaN, une région de source sur un premier côté de la structure de gâchette, une région de drain sur un deuxième côté de la structure de gâchette, le deuxième côté étant opposé au premier côté, et une plaque de champ de drain au-dessus de la région de drain, la plaque de champ de drain n'étant pas reliée électriquement à la structure de gâchette ou à la région de source.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)