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1. (WO2019066875) TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP AYANT UNE STRUCTURE DIÉLECTRIQUE DE GRILLE FERROÉLECTRIQUE OU ANTI-FERROÉLECTRIQUE
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N° de publication : WO/2019/066875 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054164
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.09.2017
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 29/51 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
43
caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
49
Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
51
Matériaux isolants associés à ces électrodes
Déposants :
KIM, Seiyon [KR/US]; US
AVCI, Uygar E. [US/US]; US
HOWARD, Joshua M. [US/US]; US
YOUNG, Ian A. [US/US]; US
MORRIS, Daniel H. [US/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
KIM, Seiyon; US
AVCI, Uygar E.; US
HOWARD, Joshua M.; US
YOUNG, Ian A.; US
MORRIS, Daniel H.; US
Mandataire :
BRASK, Justin K.; US
AUYEUNG, Al; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
BLANK, Eric S.; US
COFIELD, Michael A.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
PUGH, Joseph A.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
WANG, Yuke; US
YATES, Steven D.; US
SULLIVAN, Stephen G.; US
ROJO, Estiven; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) FIELD EFFECT TRANSISTORS HAVING FERROELECTRIC OR ANTIFERROELECTRIC GATE DIELECTRIC STRUCTURE
(FR) TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP AYANT UNE STRUCTURE DIÉLECTRIQUE DE GRILLE FERROÉLECTRIQUE OU ANTI-FERROÉLECTRIQUE
Abrégé :
(EN) Field effect transistors having a ferroelectric or antiferroelectric gate dielectric structure are described. In an example, an integrated circuit structure includes a semiconductor channel structure includes a monocrystalline material. A gate dielectric is over the semiconductor channel structure. The gate dielectric includes a ferroelectric or antiferroelectric polycrystalline material layer. A gate electrode has a conductive layer on the ferroelectric or antiferroelectric polycrystalline material layer, the conductive layer including a metal. A first source or drain structure is at a first side of the gate electrode. A second source or drain structure is at a second side of the gate electrode opposite the first side.
(FR) L'invention concerne des transistors à effet de champ ayant une structure diélectrique de grille ferroélectrique ou antiferroélectrique. Dans un exemple, une structure de circuit intégré comprend une couche de canal semi-conducteur qui comprend un matériau monocristallin. Un diélectrique de grille est sur la structure de canal semi-conducteur. Le diélectrique de grille comprend une couche de matériau polycristallin ferroélectrique ou antiferroélectrique. Une électrode de grille a une couche conductrice sur la couche de matériau polycristallin ferroélectrique ou antiferroélectrique, la couche conductrice comprenant un métal. Une première structure de source ou de drain se trouve sur un premier côté de l'électrode de grille. Une seconde structure de source ou de drain se trouve sur un second côté de l'électrode de grille opposé au premier côté.
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)