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1. (WO2019066874) DISPOSITIF À CAPACITÉ VARIABLE À MULTIPLES COUCHES DE GAZ ÉLECTRONIQUE BIDIMENSIONNEL (2DEG)
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N° de publication : WO/2019/066874 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054155
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.09.2017
CIB :
H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
778
avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
GOSSNER, Harald; DE
BAUMGARTNER, Peter; DE
HODEL, Uwe; DE
SIPRAK, Domagoj; DE
LEUSCHNER, Stephan; DE
GEIGER, Richard; DE
THEN, Han Wui; US
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
DASGUPTA, Sansaptak; US
Mandataire :
MUGHAL, Usman; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) VARIABLE CAPACITANCE DEVICE WITH MULTIPLE TWO-DIMENSIONAL ELECTRON GAS (2DEG) LAYERS
(FR) DISPOSITIF À CAPACITÉ VARIABLE À MULTIPLES COUCHES DE GAZ ÉLECTRONIQUE BIDIMENSIONNEL (2DEG)
Abrégé :
(EN) A variable capacitance III-N device having multiple two-dimensional electron gas (2DEG) layers are described. In some embodiments, the device comprises a first source and a first drain; a first polarization layer adjacent to the first source and the first drain; a first channel layer coupled to the first source and the first drain and adjacent to the first polarization layer, the first channel layer comprising a first 2DEG region; a second source and a second drain; a second polarization layer adjacent to the second source and the second drain; and a second channel layer coupled to the second source and the second drain and adjacent to the second polarization layer, the second channel layer comprising a second 2DEG region, wherein the second channel layer is over the first polarization layer.
(FR) L'invention concerne un dispositif III-N à capacité variable ayant de multiples couches de gaz électronique bidimensionnel (2DEG). Dans certains modes de réalisation, le dispositif comprend une première source et un premier drain; une première couche de polarisation adjacente à la première source et au premier drain; une première couche de canal connectée à la première source et au premier drain et adjacente à la première couche de polarisation, la première couche de canal comprenant une première région de 2DEG; une deuxième source et un deuxième drain; une deuxième couche de polarisation adjacente à la deuxième source et au deuxième drain; et une deuxième couche de canal connectée à la deuxième source et au deuxième drain et adjacente à la deuxième couche de polarisation, la deuxième couche de canal comprenant une deuxième région de 2DEG, la deuxième couche de canal se trouvant sur la première couche de polarisation.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)