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1. (WO2019066859) BOÎTIER SUR BOÎTIERS DE SEMI-CONDUCTEUR AU SILICIUM ACTIF
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N° de publication : WO/2019/066859 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054038
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.09.2017
CIB :
H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
065
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L27/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
GOMES, Wilfred; US
GANESAN, Sanka; US
INGERLY, Doug; US
SANKMAN, Robert; US
BOHR, Mark; US
MALLIK, Debendra; US
Mandataire :
CZARNECKI, Michael S.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PACKAGE ON ACTIVE SILICON SEMICONDUCTOR PACKAGES
(FR) BOÎTIER SUR BOÎTIERS DE SEMI-CONDUCTEUR AU SILICIUM ACTIF
Abrégé :
(EN) Systems and methods for providing a low profile stacked die semiconductor package in which a first semiconductor package is stacked with a second semiconductor package and both semiconductor packages are conductively coupled to an active silicon substrate that communicably couples the first semiconductor package to the second semiconductor package. The first semiconductor package may conductively couple to the active silicon substrate using a plurality of interconnects disposed in a first interconnect pattern having a first interconnect pitch. The second semiconductor package may conductively couple to the active silicon substrate using a plurality of interconnects disposed in a second interconnect pattern having a second pitch that is greater than the first pitch. The second semiconductor package may be stacked on the first semiconductor package and conductively coupled to the active silicon substrate using a plurality of conductive members or a plurality of wirebonds.
(FR) La présente invention concerne des systèmes et des procédés destinés à fournir un boîtier de semi-conducteur de puce empilé à profil bas dans lequel un premier boîtier de semi-conducteur est empilé avec un second boîtier de semi-conducteur et les deux boîtiers de semi-conducteur sont couplés de manière conductrice à un substrat de silicium actif qui couple de manière communicative le premier boîtier de semi-conducteur au second boîtier de semi-conducteur. Le premier boîtier de semi-conducteur peut être couplé de manière conductrice au substrat de silicium actif à l'aide d'une pluralité d'interconnexions disposées selon un premier motif d'interconnexion ayant un premier pas d'interconnexion. Le second boîtier de semi-conducteur peut être couplé de manière conductrice au substrat de silicium actif à l'aide d'une pluralité d'interconnexions disposées selon un second motif d'interconnexion ayant un second pas qui est supérieur au premier pas. Le second boîtier de semi-conducteur peut être empilé sur le premier boîtier de semi-conducteur et couplé de manière conductrice au substrat de silicium actif à l'aide d'une pluralité d'éléments conducteurs ou d'une pluralité de soudures de fils.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)