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1. (WO2019066855) INTERCONNEXIONS AYANT UNE PORTION SANS MATÉRIAU DE REVÊTEMENT ET STRUCTURES, DISPOSITIFS ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
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N° de publication : WO/2019/066855 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054018
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.09.2017
CIB :
H01L 21/768 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
CHANDHOK, Manish; US
SCHENKER, Richard; US
TRONIC, Tristan; US
Mandataire :
BOOTH, Brett C.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) INTERCONNECTS HAVING A PORTION WITHOUT A LINER MATERIAL AND RELATED STRUCTURES, DEVICES, AND METHODS
(FR) INTERCONNEXIONS AYANT UNE PORTION SANS MATÉRIAU DE REVÊTEMENT ET STRUCTURES, DISPOSITIFS ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé :
(EN) Integrated circuit (IC) structures, computing devices, and related methods are disclosed. An IC structure includes an interlayer dielectric (ILD), an interconnect, and a liner material separating the interconnect from the ILD. The interconnect includes a first end extending to or into the ILD and a second end opposite the first end. A second portion of the interconnect extending from the second end to a first portion of the interconnect proximate to the first end does not include the liner material thereon. A method of manufacturing an IC structure includes removing an ILD from between interconnects, applying a conformal hermetic liner, applying a carbon hard mask (CHM) between the interconnects, removing a portion of the CHM, removing the conformal hermetic liner to a remaining CHM, and removing the exposed portion of the liner material to the remaining CHM to expose the second portion of the interconnects.
(FR) L'invention concerne des structures de circuit intégré (CI), des dispositifs informatiques et des procédés associés. Une structure de CI comprend un diélectrique intercouche (ILD), une interconnexion et un matériau de revêtement qui sépare l'interconnexion de l'ILD. L'interconnexion comprend une première extrémité qui s'étend vers ou dans l'ILD et une deuxième extrémité opposée à la première extrémité. Le matériau de revêtement n'est pas présent sur une deuxième portion de l'interconnexion qui s'étend de la deuxième extrémité à une première portion de l'interconnexion à proximité de la première extrémité. Un procédé de fabrication d'une structure de CI comprend l'enlèvement d'un ILD d'entre des interconnexions, l'application d'un revêtement hermétique conforme, l'application d'un masque dur de carbone (CHM) entre les interconnexions, l'enlèvement d'une portion du CHM, l'enlèvement du revêtement hermétique conforme d'un CHM restant, et l'enlèvement de la portion exposée du matériau de revêtement du CHM restant pour exposer la deuxième portion des interconnexions.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)