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1. (WO2019066854) MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE COMPRENANT UN COMMUTATEUR DE SEUIL
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N° de publication : WO/2019/066854 N° de la demande internationale : PCT/US2017/054016
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.09.2017
CIB :
H01L 27/108 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
108
Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
SHARMA, Abhishek A.; US
PILLARISETTY, Ravi; US
DOYLE, Brian S.; US
MAJHI, Prashant; US
Mandataire :
PARKER, Wesley E.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
AUYEUNG, Al; US
RASKIN, Vladimir; US
DANSKIN, Timothy A.; US
MOORE, Michael S.; US
STRAUSS, Ryan N.; US
COFIELD, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
WANG, Yuke; US
YATES, Steven; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BRASK, Justin; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY INCLUDING THRESHOLD SWITCH
(FR) MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE COMPRENANT UN COMMUTATEUR DE SEUIL
Abrégé :
(EN) Described herein are apparatuses, systems, and methods associated with a memory circuit that includes memory cells having respective threshold switches. The memory cells may include a selector transistor with a gate terminal coupled to a word line to receive a word line signal, a drain terminal coupled to a bit line to receive a bit line signal, and a source terminal coupled to a first terminal of the threshold switch. The threshold switch may switch from a high resistance state to a low resistance state when a voltage across the first terminal and a second terminal exceeds a threshold voltage and may remain in the low resistance state after switching when the voltage across the first and second terminals is equal to or greater than a holding voltage that is less than the threshold voltage. Other embodiments may be described and claimed.
(FR) L'invention concerne des appareils, des systèmes et des procédés associés à un circuit de mémoire qui comprend des cellules de mémoire comportant des commutateurs de seuil respectifs. Les cellules de mémoire peuvent comprendre un transistor de sélection comportant une borne de grille couplée à un canal mot servant à recevoir un signal de canal mot, une borne de drain couplée à un canal bit servant à recevoir un signal de canal bit, et une borne de source couplée à une première borne du commutateur de seuil. Le commutateur de seuil peut passer d'un état de résistance élevée à un état de faible résistance lorsqu'une tension appliquée à la première borne et à une seconde borne dépasse une tension de seuil, et peut rester dans l'état de faible résistance après la commutation lorsque la tension appliquée aux première et seconde bornes est égale ou supérieure à une tension de maintien qui est inférieure à la tension de seuil. D'autres modes de réalisation peuvent faire l'objet d'une description et de revendications.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)