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1. (WO2019066840) STRUCTURES D'EMPILEMENT DE PUITS QUANTIQUE POUR DISPOSITIFS À POINTS QUANTIQUES
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N° de publication : WO/2019/066840 N° de la demande internationale : PCT/US2017/053910
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.09.2017
CIB :
G06N 99/00 (2010.01) ,B82Y 10/00 (2011.01)
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
N
SYSTÈMES DE CALCULATEURS BASÉS SUR DES MODÈLES DE CALCUL SPÉCIFIQUES
99
Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82
NANOTECHNOLOGIE
Y
UTILISATION OU APPLICATIONS SPÉCIFIQUES DES NANOSTRUCTURES; MESURE OU ANALYSE DES NANOSTRUCTURES; FABRICATION OU TRAITEMENT DES NANOSTRUCTURES
10
Nanotechnologie pour le traitement, le stockage ou la transmission d’informations, p.ex. calcul quantique ou logique à un électron
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549, US
Inventeurs :
PILLARISETTY, Ravi; US
THOMAS, Nicole K.; US
GEORGE, Hubert C.; US
CAUDILLO, Roman; US
CLARKE, James S.; US
LE, Van H.; US
ROBERTS, Jeanette M.; US
AMIN, Payam; US
YOSCOVITS, Zachary R.; US
KOTLYAR, Roza; US
SINGH, Kanwaljit; NL
Mandataire :
ZAGER, Laura A.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) QUANTUM WELL STACKS FOR QUANTUM DOT DEVICES
(FR) STRUCTURES D'EMPILEMENT DE PUITS QUANTIQUE POUR DISPOSITIFS À POINTS QUANTIQUES
Abrégé :
(EN) Disclosed herein are quantum dot devices, as well as related computing devices and methods. For example, in some embodiments, a quantum dot device may include a (111) silicon substrate, a (111) germanium quantum well layer above the substrate, and a plurality of gates above the quantum well layer. In some embodiments, a quantum dot device may include a silicon substrate, an insulating material above the silicon substrate, a quantum well layer above the insulating material, and a plurality of gates above the quantum well layer.
(FR) La présente invention concerne des dispositifs à points quantiques, ainsi que des procédés et des dispositifs informatiques associés. Par exemple, dans certains modes de réalisation, un dispositif à points quantiques peut comprendre un substrat de silicium (111), une couche de puits quantique de germanium (111) au-dessus du substrat, et une pluralité de grilles au-dessus de la couche de puits quantique. Dans certains modes de réalisation, un dispositif à points quantiques peut comprendre un substrat de silicium, un matériau isolant au-dessus du substrat de silicium, une couche de puits quantique au-dessus du matériau isolant, et une pluralité de grilles au-dessus de la couche de puits quantique.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)