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1. (WO2019066830) REMPLISSAGE D'OUVERTURES PAR COMBINAISON DE PROCESSUS FLUIDES ET NON FLUIDES
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N° de publication : WO/2019/066830 N° de la demande internationale : PCT/US2017/053853
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 28.09.2017
CIB :
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549, US
Inventeurs :
MAYS, Ebony L.; US
TUFTS, Bruce J.; US
Mandataire :
HARTMANN, Natalya; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) FILLING OPENINGS BY COMBINING NON-FLOWABLE AND FLOWABLE PROCESSES
(FR) REMPLISSAGE D'OUVERTURES PAR COMBINAISON DE PROCESSUS FLUIDES ET NON FLUIDES
Abrégé :
(EN) Disclosed herein are methods for manufacturing IC components using bottom-up fill of openings with a dielectric material. In one aspect, an exemplary method includes, first, depositing a solid dielectric liner on the inner surfaces of the openings using a non-flowable process, and subsequently filling the remaining empty volume of the openings with a fill dielectric using a flowable process. Such a combination method may maximize the individual strengths of the non-flowable and flowable processes due to the synergetic effect achieved by their combined use, while reducing their respective drawbacks. Assemblies and devices manufactured using such methods are disclosed as well.
(FR) L'invention concerne des procédés de fabrication de composants de circuit intégré à l'aide d'un remplissage de bas en haut d'ouvertures avec un matériau diélectrique. Selon un aspect, un procédé donné à titre d'exemple comprend, en premier lieu, le dépôt d'un revêtement diélectrique solide sur les surfaces internes des ouvertures à l'aide d'un processus non fluide, et ensuite le remplissage du volume vide restant des ouvertures avec un diélectrique de remplissage à l'aide d'un processus fluide. Un tel procédé de combinaison peut maximiser les forces individuelles des processus non fluides et fluides en raison de l'effet synergique obtenu par leur utilisation combinée, tout en réduisant leurs inconvénients respectifs. L'invention concerne également des assemblages et des dispositifs fabriqués à l'aide de tels procédés.
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)