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1. (WO2019066827) CARACTÉRISTIQUES ET APPROCHES D'ASSISTANCE À GRILLE POUR LITHOGRAPHIE À ÉCRITURE DIRECTE PAR FAISCEAU D’ÉLECTRONS (EBDW)
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N° de publication : WO/2019/066827 N° de la demande internationale : PCT/US2017/053849
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 27.09.2017
CIB :
H01L 21/027 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,G03F 1/20 (2012.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1
Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
20
Masques ou masques vierges d'imagerie par rayonnement d'un faisceau de particules chargées [CPB charged particle beam], p.ex. par faisceau d'électrons; Leur préparation
Déposants :
WALLACE, Charles H. [US/US]; US
TANDON, Shakul [IN/US]; US
TOH, Kenny K. [KE/US]; US
OGADHOH, Shem O. [KE/US]; US
PHILLIPS, Mark C. [US/US]; US
DOGRU, Selim [TR/US]; US
AULUCK, Kshitij S. [IN/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
WALLACE, Charles H.; US
TANDON, Shakul; US
TOH, Kenny K.; US
OGADHOH, Shem O.; US
PHILLIPS, Mark C.; US
DOGRU, Selim; US
AULUCK, Kshitij S.; US
Mandataire :
BRASK, Justin K.; US
AUYEUNG, Al; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
BLANK, Eric S.; US
COFIELD, Michael A.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
PUGH, Joseph A.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
WANG, Yuke; US
YATES, Steven D.; US
SULLIVAN, Stephen G.; US
ROJO, Estiven; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) GRIDDED ASSIST FEATURES AND APPROACHES FOR E-BEAM DIRECT WRITE (EBDW) LITHOGRAPHY
(FR) CARACTÉRISTIQUES ET APPROCHES D'ASSISTANCE À GRILLE POUR LITHOGRAPHIE À ÉCRITURE DIRECTE PAR FAISCEAU D’ÉLECTRONS (EBDW)
Abrégé :
(EN) Lithographic apparatuses suitable for, and methodologies involving, e-beam lithography such as complementary e-beam lithography (CEBL) are described. In an example, a method of performing e-beam lithography includes forming a background universal grid of sub-resolution assist e-beam exposures. The method also includes forming a plurality of features along the universal grid of sub-resolution assist e-beam exposures. The plurality of features is formed by performing resolution exposures at discrete locations along the grid of sub-resolution assist e-beam exposures.
(FR) L'invention concerne des appareils lithographiques appropriés pour, et de méthodologies concernant la lithographie par faisceau d'électrons telle que la lithographie par faisceau d’électrons complémentaire (CEBL). Dans un exemple, un procédé de réalisation d'une lithographie par faisceau d’électrons consiste à former une grille universelle d'arrière-plan d'expositions à un faisceau d’électrons à assistance de sous-résolution. Le procédé comprend également la formation d'une pluralité de caractéristiques le long de la grille universelle d'expositions au faisceau d’électrons à assistance de sous-résolution. La pluralité de caractéristiques est formée par réalisation d'expositions de résolution à des emplacements discrets le long de la grille d'expositions de faisceau d’électrons à assistance de sous-résolution.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)