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1. (WO2019066826) ÉLÉMENT SÉLECTEUR ASYMÉTRIQUE DE DISPOSITIFS MÉMOIRES BIPOLAIRES BASSE TENSION
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N° de publication : WO/2019/066826 N° de la demande internationale : PCT/US2017/053848
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 27.09.2017
CIB :
H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 43/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
Détails
Déposants :
MAJHI, Prashant [IN/US]; US
SHARMA, Abhishek A. [IN/US]; US
KARPOV, Elijah V. [US/US]; US
PILLARISETTY, Ravi [US/US]; US
DOYLE, Brian S. [IE/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
MAJHI, Prashant; US
SHARMA, Abhishek A.; US
KARPOV, Elijah V.; US
PILLARISETTY, Ravi; US
DOYLE, Brian S.; US
Mandataire :
BRASK, Justin K.; US
AUYEUNG, Al; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
BLANK, Eric S.; US
COFIELD, Michael A.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
PUGH, Joseph A.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
WANG, Yuke; US
YATES, Steven D.; US
SULLIVAN, Stephen G.; US
ROJO, Estiven; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ASYMMETRIC SELECTOR ELEMENT FOR LOW VOLTAGE BIPOLAR MEMORY DEVICES
(FR) ÉLÉMENT SÉLECTEUR ASYMÉTRIQUE DE DISPOSITIFS MÉMOIRES BIPOLAIRES BASSE TENSION
Abrégé :
(EN) Embedded non-volatile memory structures having asymmetric selector elements are described. In an example, a memory device includes a word line. An asymmetric selector element is above the word line. The asymmetric selector element includes a first electrode material layer, a selector material layer on the first electrode material layer, and a second electrode material layer on the selector material layer, the second electrode material layer different in composition than the first electrode material layer. A bipolar memory element is above the word line, the bipolar memory element on the asymmetric selector element. A bit line is above the word line.
(FR) L'invention concerne des structures de mémoire non volatile intégrées comportant des éléments sélecteurs asymétriques. Selon un exemple, un dispositif mémoire comprend un canal mot. Un élément sélecteur asymétrique se trouve au-dessus du canal mot. L'élément sélecteur asymétrique comprend une première couche de matériau d'électrode, une couche de matériau sélecteur sur la première couche de matériau d'électrode, et une seconde couche de matériau d'électrode sur la couche de matériau sélecteur, la seconde couche de matériau d'électrode ayant une composition différente de celle de la première couche de matériau d'électrode. Un élément mémoire bipolaire se trouve au-dessus du canal mot, l'élément mémoire bipolaire se trouvant sur l'élément sélecteur asymétrique. Un canal bit se trouve au-dessus du canal mot.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)