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1. (WO2019066821) MÉMOIRE BASÉE SUR LA RÉSISTANCE DIFFÉRENTIELLE NÉGATIVE
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N° de publication : WO/2019/066821 N° de la demande internationale : PCT/US2017/053831
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 27.09.2017
CIB :
G11C 11/412 (2006.01) ,G11C 11/413 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
34
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40
utilisant des transistors
41
formant des cellules avec réaction positive, c. à d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p.ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt
412
utilisant uniquement des transistors à effet de champ
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
34
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40
utilisant des transistors
41
formant des cellules avec réaction positive, c. à d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p.ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt
413
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture, la synchronisation ou la réduction de la consommation
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054, US
Inventeurs :
KUO, Charles C.; US
CHU-KUNG, Benjamin; US
AUGUSTINE, Charles; US
Mandataire :
MUGHAL, Usman A.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) A NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE BASED MEMORY
(FR) MÉMOIRE BASÉE SUR LA RÉSISTANCE DIFFÉRENTIELLE NÉGATIVE
Abrégé :
(EN) Described is an apparatus which comprises: a storage node; a first device coupled to the storage node; a second device coupled to a first reference and the storage node, wherein the second device has negative differential resistance (NDR); a third device coupled to a second reference and the storage node, wherein the third device has NDR; and a circuitry for reading data, the circuitry coupled to the storage node and the first, second, and third devices.
(FR) L'invention concerne un appareil qui comprend : un noeud de stockage; un premier dispositif couplé au noeud de stockage; un second dispositif couplé à une première référence et au noeud de stockage, le second dispositif présentant une résistance différentielle négative (NDR); un troisième dispositif couplé à une seconde référence et au noeud de stockage, le troisième dispositif présentant une NDR; et un circuit pour lire des données, le circuit étant couplé au noeud de stockage et aux premier, second et troisième dispositifs.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)