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1. (WO2019066820) LOGIQUE SPIN-ORBITE MAGNÉTOÉLECTRIQUE EN CASCADE
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N° de publication : WO/2019/066820 N° de la demande internationale : PCT/US2017/053829
Date de publication : 04.04.2019 Date de dépôt international : 27.09.2017
CIB :
G11C 11/16 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 27/22 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02
utilisant des éléments magnétiques
16
utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
22
comprenant des composants utilisant les effets galvanomagnétiques, p.ex. effet Hall; utilisant des effets de champ magnétique analogues
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054, US
Inventeurs :
LIU, Huichu; US
MANIPATRUNI, Sasikanth; US
NIKONOV, Dmitri E.; US
KARNIK, Tanay; US
YOUNG, Ian A.; US
Mandataire :
MUGHAL, Usman A.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) CASCADED MAGNETOELECTRIC SPIN ORBIT LOGIC
(FR) LOGIQUE SPIN-ORBITE MAGNÉTOÉLECTRIQUE EN CASCADE
Abrégé :
(EN) An apparatus is provided which comprises: a first logic device including: a spin orbit coupling material, magnetostrictive material, and at least two transistors to operate using first a clock signal; a second logic device coupled to the first logic device, the second logic device including: a spin orbit coupling material, magnetostrictive material, and at least two transistors to operate using a second clock signal; and a third logic device coupled to the second logic device, the third logic device including: a spin orbit coupling material, magnetostrictive material, and at least two transistors to operate using a third clock signal, wherein the first, second, and third clocks have overlapping phases.
(FR) L'invention concerne un appareil qui comprend : un premier dispositif logique comprenant : un matériau de couplage spin-orbite, un matériau magnétostrictif, et au moins deux transistors pour fonctionner à l'aide d'un premier signal d'horloge; un second dispositif logique couplé au premier dispositif logique, le second dispositif logique comprenant : un matériau de couplage spin-orbite, un matériau magnétostrictif, et au moins deux transistors pour fonctionner à l'aide d'un second signal d'horloge; et un troisième dispositif logique couplé au second dispositif logique, le troisième dispositif logique comprenant : un matériau de couplage spin-orbite, un matériau magnétostrictif et au moins deux transistors pour fonctionner à l'aide d'un troisième signal d'horloge, les première, secondes et troisième horloges comportant des phases de chevauchement.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)